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1. (WO2010117701) OPTICAL DEVICE WITH LARGE THERMAL IMPEDANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/117701    International Application No.:    PCT/US2010/028995
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 29.03.2010
IPC:
G02F 1/025 (2006.01)
Applicants: CUNNINGHAM, John, E. [US/US]; (US) (For US Only).
KRISHNAMOORTHY, Ashok V. [US/US]; (US) (For US Only).
SHUBIN, Ivan [US/US]; (US) (For US Only).
LI, Guoliang [CN/US]; (US) (For US Only).
ZHENG, Xuezhe [US/US]; (US) (For US Only).
ORACLE AMERICA, INC. FORMERLY KNOWN AS SUN MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 500 Oracle Parkway Redwood Shores, California 94065 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: CUNNINGHAM, John, E.; (US).
KRISHNAMOORTHY, Ashok V.; (US).
SHUBIN, Ivan; (US).
LI, Guoliang; (US).
ZHENG, Xuezhe; (US)
Agent: YAO, Shun; Park, Vaughan & Fleming LLP 2820 Fifth Street Davis, CA 95618-7759 (US)
Priority Data:
12/415,858 31.03.2009 US
Title (EN) OPTICAL DEVICE WITH LARGE THERMAL IMPEDANCE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE AVEC IMPÉDANCE THERMIQUE ÉLEVÉE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of an optical device, an array of optical devices, and a technique for fabricating the optical device or the array are described. This optical device is implemented on a substrate (such as silicon), and includes a thermally tunable optical waveguide that has good thermal isolation from its surroundings. In particular, a portion of a semiconductor in the optical device, which includes the optical waveguide, is free standing above a gap between the semiconductor layer and the substrate. By reducing the thermal coupling between the optical waveguide and the external environment, the optical device can be thermally tuned with significantly less power consumption.
(FR)L'invention porte, selon des modes de réalisation, sur un dispositif optique, sur un réseau de dispositifs optiques et sur une technique permettant de fabriquer le dispositif optique ou le réseau. Ce dispositif optique est mis en œuvre sur un substrat (tel que du silicium) et comprend un guide d'onde optique accordable thermiquement qui a une bonne isolation thermique vis-à-vis de son environnement. En particulier, une partie d'un semi-conducteur dans le dispositif optique, qui comprend le guide d'onde optique, est autoporteur au-dessus d'un espace situé entre la couche à semi-conducteur et le substrat. Par réduction du couplage thermique entre le guide d'onde optique et l'environnement externe, le dispositif optique peut être accordé thermiquement avec une consommation énergétique significativement inférieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)