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1. (WO2010117654) PREDICTIVE PRE-HEATING OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/117654 International Application No.: PCT/US2010/028628
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 25.03.2010
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: CHEN, Yiran[CN/US]; US (UsOnly)
LI, Hai[CN/US]; US (UsOnly)
LIU, Harry Hongyue[US/US]; US (UsOnly)
DIMITROV, Dimitar V.[BG/US]; US (UsOnly)
WANG, Alan Xuguang[CN/US]; US (UsOnly)
WANG, Xiaobin[CN/US]; US (UsOnly)
SEAGATE TECHNOLOGY LLC[US/US]; 920 Disc Drive Scotts Valley, CA 95066, US (AllExceptUS)
Inventors: CHEN, Yiran; US
LI, Hai; US
LIU, Harry Hongyue; US
DIMITROV, Dimitar V.; US
WANG, Alan Xuguang; US
WANG, Xiaobin; US
Agent: McCARTHY, Randall, K.; Fellers, Snider, Blankenship, Bailey & Tippens, PC 100 North Broadway, Suite 1700 Oklahoma City, OK 73102, US
Priority Data:
12/414,45230.03.2009US
Title (EN) PREDICTIVE PRE-HEATING OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS
(FR) PRÉCHAUFFAGE PRÉDICTIF DE CELLULES MÉMOIRES NON VOLATILES
Abstract: front page image
(EN) A method (180) and apparatus (106) for using thermal preconditioning to write data to a non- volatile memory cell (120), such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In some embodiments, a logical state is written to an unconditioned non- volatile first memory cell associated with a first block address (184). Thermal preconditioning is concurrently applied to a non-volatile second memory cell (188) associated with a second block address selected in response to the first block address (186) selection such that the record block address is an address of a block which has a relatively high probability of being selected in a write operation subsequent to the write operation of the non-volatile first memory cell.
(FR) L'invention concerne un procédé (180) et un appareil (106) pour utiliser un préconditionnement thermique pour écrire des données sur une cellule mémoire non volatile (120), telle qu'une cellule mémoire de mémoire à accès aléatoire à transfert de couple de spin (STRAM). Dans certains modes de réalisation, un état logique est écrit sur une première cellule mémoire non volatile non conditionnée associée à une première adresse de bloc (184). Un préconditionnement thermique est appliqué de manière simultanée à une seconde cellule mémoire non volatile (188) associée à une seconde adresse de bloc sélectionnée en réponse à la première adresse de bloc (186), de sorte que l'adresse de bloc d'enregistrement soit une adresse d'un bloc relativement hautement susceptible d'être sélectionné lors d'une opération d'écriture subséquente à l'opération d'écriture de la première cellule mémoire non volatile.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)