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1. (WO2010117106) SEMICONDUCTOR WAVEFORM GENERATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/117106    International Application No.:    PCT/KR2009/002454
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 11.05.2009
IPC:
H03K 4/08 (2006.01)
Applicants: TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD. [KR/KR]; Rm 205 Radio Engineering Center 694 Tamnip-dong, Yuseong-gu Daejeon-si 305-510 (KR) (For All Designated States Except US).
CHANG, Kee Seok [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: CHANG, Kee Seok; (KR)
Agent: JEONG, Hwoi Hwan; Suite 713, Cheongsa Offistel 915 Dunsan-dong, Seo-gu Daejeon-si 302-120 (KR)
Priority Data:
10-2009-0029713 07.04.2009 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAVEFORM GENERATOR
(FR) GENERATEUR DE FORMES D'ONDE A SEMI-CONDUCTEURS
(KO) 반도체 파형 발생기
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor waveform generator, and more particularly, to a sawtooth wave generator which can be applied to a DC-DC converter, a pulse width modulation circuit, or the like that is being used as a semiconductor integrated circuit. The semiconductor waveform generator comprises: a regulator unit which generates a reference voltage, and divides the reference voltage to provide an upper threshold value (VTH) and a lower threshold value (VTL) of a sawtooth wave; a current mirror unit which operates as a current mirror by means of a first MOS transistor (M1) and a second MOS transistor (M2); a sawtooth wave generating unit which has a fifth MOS transistor (M5) and a fourth MOS transistor (M4) which are a PMOS transistor and an NMOS transistor, respectively, connected in series to a drain terminal of the second MOS transistor (M2) of the current mirror unit, wherein said sawtooth wave generating unit generates a sawtooth wave by charging/discharging a condenser (C2) at the connection point between the fifth MOS transistor (M5) and the fourth MOS transistor (M4); and a sawtooth wave amplitude control unit which compares the sawtooth wave signals output by the sawtooth wave generating unit with the upper threshold value (VTH) and the lower threshold value (VTL) of the regulator unit, respectively, generates a square wave signal in which an amplitude is controlled by the upper/lower threshold control of the sawtooth wave, and applies the square wave signal as a blank signal to the gates of the fifth MOS transistor (M5) and to the fifth MOS transistor (M4) of the sawtooth wave generating unit.
(FR)La présente invention concerne un générateur de formes d'onde à semi-conducteurs, et plus particulièrement, un générateur d'ondes en dents de scie pouvant être appliqué à un convertisseur continu-continu, un circuit de modulation d'impulsions en durée, ou analogue, utilisé comme circuit intégré à semi-conducteurs. Le générateur de formes d'onde à semi-conducteurs comporte : une unité de régulateur qui génère une tension de référence, et divise la tension de référence pour fournir une valeur de seuil supérieure (VTH) et une valeur de seuil inférieure (VTL) d'une onde en dents de scie ; une unité de miroir de courant qui fonctionne comme un miroir de courant au moyen d'un premier transistor MOS (M1) et d'un second transistor MOS (M2) ; une unité de génération d'ondes en dents de scie qui comprend un cinquième transistor MOS (M5) et un quatrième transistor MOS (M4) qui sont un transistor PMOS et un transistor NMOS, respectivement, connectés en série à une borne de drain du second transistor MOS (M2) de l'unité de miroir de courant, ladite unité de génération d'ondes en dents de scie générant une onde en dents de scie par la charge/décharge d'un condensateur (C2) au point de la connexion entre le cinquième transistor MOS (M5) et le quatrième transistor MOS (M4) ; et une unité de commande d'amplitude d'ondes en dents de scie qui compare les signaux d'onde en dents de scie émis en sortie par l'unité de génération d'ondes en dents de scie à la valeur de seuil supérieure (VTH) et la valeur de seuil inférieure (VTL) de l'unité de régulateur, respectivement, génère un signal d'onde carrée dans laquelle une amplitude est contrôlée par la commande de seuil supérieur/inférieur de l'onde en dents de scie, et applique le signal d'onde carrée sous forme d'un signal blanc aux grilles du cinquième transistor MOS (M5) et du quatrième transistor MOS (M4) de l'unité de génération d'ondes en dents de scie.
(KO)본 발명은 반도체 파형 발생기에 관한 것으로서, 특히 반도체 집적회로로 사용되는 DC-DC컨버터나 펄스폭 변조 회로등에 적용될 수 있도록 하는 톱니파 발생기를 제공하기 위한 것으로서, 기준전압을 발생시키고, 기준전압을 분압하여 톱니파의 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 발생시키는 레귤레이터부와, 제1,제2모스 트랜지스터(M1)(M2)에 의해 전류 미러로서 작동되는 전류 미러부와, 상기 전류미러부의 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인단에 피모스트랜지스터와 엔모스 트랜지스터인 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)가 직렬 연결되고, 제5, 제4 모스트랜지스터(M5)(M4)의 중간 접속점에서 콘덴서(C2)의 충방전에 의해 톱니파(SAW)를 출력하는 톱니파 발생부와, 상기 톱니파 발생부의 톱니파 출력신호와 상기 레귤레이터부의 톱니파 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 각각 비교하여 톱니파의 상한/하한 제어에 따른 진폭이 제어된 구형파 신호를 발생시켜 상기 톱니파 발생부의 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)의 게이트에 블랭크(Blank)신호로 인가하는 톱니파 진폭제어부로 구성된다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)