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1. (WO2010116768) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116768    International Application No.:    PCT/JP2010/050491
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 18.01.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Applicants: TOYO UNIVERSITY [JP/JP]; 28-20, Hakusan 5-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1128606 (JP) (For All Designated States Except US).
WADA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOYABE, Toru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUTSUI, Ken [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WADA, Yasuo; (JP).
TOYABE, Toru; (JP).
TSUTSUI, Ken; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2009-094202 08.04.2009 JP
Title (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE ET CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 有機薄膜トランジスタ及び半導体集積回路
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an organic thin film transistor which comprises: an organic semiconductor layer; a source electrode and a drain electrode which are arranged at a distance from each other and respectively in contact with the organic semiconductor layer; a gate insulating film which is in contact with the organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode; and a gate electrode which is in contact with the gate insulating film, while facing the organic semiconductor layer. In the organic thin film transistor, the impurity concentration of a high concentration region of the organic semiconductor layer, said high concentration region being positioned near the source electrode, is set higher than the impurity concentration of a low concentration region of the organic semiconductor layer, said low concentration region being positioned between the source electrode and the drain electrode above the gate electrode in the film thickness direction of the organic semiconductor layer.
(FR)L'invention porte sur un transistor à couche mince organique qui comprend : une couche semi-conductrice organique ; une électrode de source et une électrode de drain qui sont agencées à une distance l'une de l'autre et respectivement en contact avec la couche semi-conductrice organique ; un film isolant de grille qui est en contact avec la couche semi-conductrice organique entre l'électrode de source et l'électrode de drain ; et une électrode de grille qui est en contact avec le film isolant de grille, tout en faisant face à la couche semi-conductrice organique. Dans le transistor à couche mince organique, la concentration en impuretés d'une région à concentration élevée de la couche semi-conductrice organique, ladite région à concentration élevée étant positionnée proche de l'électrode de source, est fixée supérieure à la concentration en impuretés d'une région à concentration faible de la couche semi-conductrice organique, ladite région à concentration faible étant positionnée entre l'électrode de source et l'électrode de drain au-dessus de l'électrode de grille dans la direction de l'épaisseur de couche de la couche semi-conductrice organique.
(JA) 有機半導体層と、互いに離間して有機半導体層とそれぞれ接するソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間で有機半導体層に接するゲート絶縁膜と、有機半導体層と対向してゲート絶縁膜に接するゲート電極とを備え、ソース電極の近傍に位置する有機半導体層の高濃度領域の不純物濃度が、ソース電極とドレイン電極間においてゲート電極の有機半導体層の膜厚方向に位置する有機半導体層の低濃度領域の不純物濃度より高く設定されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)