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1. (WO2010116721) PRODUCTION SYSTEM FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116721    International Application No.:    PCT/JP2010/002506
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 06.04.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
NOGUCHI, Takafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OGATA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMIZU, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UCHIDA, Hiroto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASARI, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NOGUCHI, Takafumi; (JP).
OGATA, Hideyuki; (JP).
MORI, Katsuhiko; (JP).
SHIMIZU, Yasuo; (JP).
UCHIDA, Hiroto; (JP).
ASARI, Shin; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2009-092455 06.04.2009 JP
Title (EN) PRODUCTION SYSTEM FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) SYSTEME DE PRODUCTION DE DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光電変換装置の製造システム及び光電変換装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a production system for producing a photovoltaic device wherein a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are layered, in that order, upon a transparent conductive film formed upon a substrate. The production system comprises: an I layer film-formation reaction chamber for forming the i-type semiconductor layer, said chamber including at least a first film formation section, a second film formation section and a third film formation section arranged in that order along the transport direction in which the substrate is transported; and a plurality of door valves for partitioning the first film formation section, second film formation section and third film formation section in a manner such that the length of the second film formation section is longer than the length of the first film formation section and the third film formation section in the transport direction.
(FR)La présente invention concerne un système de production pour la production d'un dispositif photovoltaïque dans lequel une couche semi-conductrice de type-p, une couche semi-conductrice de type I et une couche semi-conductrice de type-n sont superposées, dans cet ordre, sur un film conducteur transparent formé sur un substrat. Le système de production comporte : une chambre de réaction de formation de film de couche de type I pour la formation de la couche semi-conductrice de type I, ladite chambre comprenant au moins une première section de formation de film, une seconde section de formation de film et une troisième section de formation de film disposées dans cet ordre selon une direction de transport dans laquelle le substrat est transporté ; et une pluralité de soupapes à clapet pour la séparation de la première section de formation de film, de la seconde section de formation de film et de la troisième section de formation de film de sorte que la longueur de la seconde section de formation de film soit supérieure à la longueur de la première section de formation de film et de la troisième section de formation de film dans la direction de transport.
(JA) この光電変換装置の製造システムは、基板上に形成された透明導電膜上に、p型半導体層,i型半導体層,及びn型半導体層が順に積層された光電変換装置の製造システムであって、前記基板が搬送される搬送方向に沿って順に配置された少なくとも第一成膜部,第二成膜部,及び第三成膜部を含み、前記i型半導体層を成膜するI層成膜反応室と、前記搬送方向における前記第一成膜部及び前記第三成膜部の長さよりも前記第二成膜部の長さが大きくなるように、前記第一成膜部,前記第二成膜部,及び前記第三成膜部を分割する複数のドアバルブと、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)