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1. (WO2010116703) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116703    International Application No.:    PCT/JP2010/002465
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 05.04.2010
IPC:
H01L 33/40 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
INOUE, Akira; (For US Only).
FUJIKANE, Masaki; (For US Only).
YOKOGAWA, Toshiya; (For US Only)
Inventors: INOUE, Akira; .
FUJIKANE, Masaki; .
YOKOGAWA, Toshiya;
Agent: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg. 8-16, Kitahama 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410041 (JP)
Priority Data:
2009-092001 06.04.2009 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The light-emitting device of the present invention is provided with a mounting substrate 260 having wiring 265, and a nitride semiconductor light-emitting element that is flip-chip mounted on the mounting substrate 260. The nitride semiconductor light-emitting element 100 is provided with: a GaN substrate 10 having an m face 12 as a surface; a semiconductor laminated structure 20 formed on the m face 12 of the GaN substrate 10; and an electrode 30 formed on the semiconductor laminated structure 20. The electrode 30 contains a Mg layer 32, and the Mg layer 32 contacts the surface of a p-type semiconductor region in the semiconductor laminated structure 20. The electrode 30 is connected to the wiring 265.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent équipé d'un substrat de montage (260) comprenant un câblage (265), et un élément semi-conducteur électroluminescent à nitrure qui est monté par connexion par billes sur le substrat de montage (260). L'élément semi-conducteur électroluminescent à nitrure (100) est muni : d'un substrat GaN (10) présentant une face m (12) sous la forme d'une surface ; une structure semi-conductrice stratifiée (20) formée sur la face m (12) du substrat GaN (10) ; et une électrode (30) formée sur la structure semi-conductrice stratifiée (20). L'électrode (30) contient une couche de Mg (32), et la couche Mg (32) est en contact avec la surface d'une région semi-conductrice de type p dans la structure semi-conductrice stratifiée (20). L'électrode (30) est connectée au câblage (265).
(JA) 本発明の発光装置は、配線265を有する実装基板260と、実装基板260上にフリップチップ実装された窒化物系半導体発光素子とを備える。窒化物系半導体発光素子100は、m面12を表面とするGaN系基板10と、GaN系基板10のm面12の上に形成された半導体積層構造20と、半導体積層構造20の上に形成された電極30とを備えている。電極30は、Mg層32を含み、Mg層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面に接触している。電極30は、配線265に接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)