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1. (WO2010116647) METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116647    International Application No.:    PCT/JP2010/002139
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 25.03.2010
IPC:
G03F 7/38 (2006.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/82 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP) (For All Designated States Except US).
UEHARA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AOYAMA, Teppei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UEHARA, Tsuyoshi; (JP).
AOYAMA, Teppei; (JP)
Agent: WATANABE, Noboru; Kudanminami Green Bldg. 3F., 7-7, Kudanminami 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020074 (JP)
Priority Data:
2009-094297 08.04.2009 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE ET DISPOSITIF
(JA) レジストパターンの形成方法及びデバイス
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a resist pattern, wherein the uniformity of development is improved by increasing the wettability of the surface of a resist layer when the resist pattern is formed on a device such as a photoresist. Specifically, a resist layer (93) is formed by applying a photosensitive resist over a substrate (91) (resist application step). Then, the resist layer (93) is partially irradiated with light (light exposure step). After that, a process gas for lyophilization is brought into contact with the resist layer (93) by being expelled through a discharge space (23) at near atmospheric pressure (atmospheric-pressure remote plasma lyophilization step). Then, a developer liquid (5) is brought into contact with the resist layer (93) (development step).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un motif de réserve, dans lequel l'uniformité de développement est améliorée par augmentation de la mouillabilité de la surface d'une couche de réserve lorsque le motif de réserve est formé sur un dispositif tel qu'une photoréserve. Plus précisément, une couche de réserve (93) est formée par application d'une réserve photosensible sur un substrat (91) (étape d'application de réserve). La couche de réserve (93) est ensuite partiellement exposée à de la lumière (étape d'exposition à la lumière). Après cela, un gaz de traitement de lyophilisation est mis en contact avec la couche de réserve (93) en étant expulsé à travers un espace d'expulsion (23) à une pression proche de la pression atmosphérique (étape de lyophilisation au plasma à distance à pression atmosphérique). Un liquide de développement (5) est ensuite mis en contact avec la couche de réserve (93) (étape de développement).
(JA) フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。 基板91に感光性のレジストを塗布してレジスト層93を形成する(レジスト塗布工程)。次に、レジスト層93に部分的に光を照射する(露光工程)。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間23に通して吹出し、レジスト層93に接触させる(大気圧リモートプラズマ親液化工程)。次に、レジスト層93に現像液5を接触させる(現像工程)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)