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1. (WO2010116585) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116585    International Application No.:    PCT/JP2010/000667
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 04.02.2010
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
MISAKI, Katsunori; (For US Only)
Inventors: MISAKI, Katsunori;
Agent: MAEDA, Hiroshi; (JP)
Priority Data:
2009-095525 10.04.2009 JP
Title (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE, APPAREIL D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES LE COMPRENANT ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示装置並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A gate electrode (14ad) is provided on a laminate (16) comprising a conductive layer (12a) and an insulation layer (13a) superimposed thereon. A storage capacitor element (17) has a lower electrode (12bd) which is formed in the conductive layer (12a) and which is made of the same material as the conductive layer (12a), a dielectric layer (13b) which is formed on the lower electrode (12bd) in the same layer as the insulation layer (13a) and which is made of the same material as the insulation layer (13a), and an upper electrode (14b) which is superimposed on the lower electrode (12bd) through the dielectric layer (13b) and which is formed in the same layer as the gate electrode (14ad) and made of the same material as the gate electrode (12ad). A contact hole (26b) for connecting to the storage capacitor element (17) is formed continuously with an interlayer insulation film (25) and a gate insulation film (18). The dielectric layer (13b) and the upper electrode (14b) are formed so that a lower conductive layer (12b) which constitutes the lower electrode (12bd) together with the interlayer insulation film (25) and the gate insulation film (18) is partially exposed.
(FR)Selon l'invention, une électrode de grille (14ad) est disposée sur un stratifié (16) comprenant une couche conductrice (12a) et une couche isolante (13a) superposée sur celle-ci. Un élément de condensateur de stockage (17) comprend une électrode inférieure (12bd) qui est formée dans la couche conductrice (12a) et qui est constituée du même matériau que la couche conductrice (12a), une couche diélectrique (13b) qui est formée sur l'électrode inférieure (12bd), dans la même couche que la couche isolante (13a), et qui est constituée du même matériau que la couche isolante (13a), et une électrode supérieure (14b) qui est superposée sur l'électrode inférieure (12bd) par l'intermédiaire de la couche diélectrique (13b) et qui est formée dans la même couche que l'électrode de grille (14ad) et constituée du même matériau que l'électrode de grille (12ad). Un trou de contact (26b), pour la connexion à l'élément de condensateur de stockage (17), est formé de façon continue avec un film d'isolation de couche intermédiaire (25) et un film d'isolation de grille (18). La couche diélectrique (13b) et l'électrode supérieure (14b) sont formées de telle sorte qu'une couche conductrice inférieure (12b), qui constitue l'électrode inférieure (12bd) ainsi que le film d'isolation de couche intermédiaire (25) et le film d'isolation de grille (18), est partiellement exposée.
(JA) ゲート電極(14ad)は導電層(12a)及び絶縁層(13a)が順に積層された積層体(16)上に設けられ、保持容量素子(17)は導電層(12a)と同一層に同一材料によって形成された下部電極(12bd)と下部電極(12bd)上に絶縁層(13a)と同一層に同一材料によって形成された誘電層(13b)と誘電層(13b)を介して下部電極(12bd)に重なるようにゲート電極(14ad)と同一層に同一材料によって形成された上部電極(14b)とを有し、保持容量素子(17)に接続するためのコンタクトホール(26b)は層間絶縁膜(25)とゲート絶縁膜(18)とに連続して形成され、誘電層(13b)及び上部電極(14b)は層間絶縁膜(25)及びゲート絶縁膜(18)と共に下部電極(12bd)を構成する下部導電層(12b)を部分的に露出させるように形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)