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1. (WO2010116560) PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SPUTTERING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116560    International Application No.:    PCT/JP2009/068579
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 29.10.2009
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
IKEMOTO Manabu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAGUCHI Nobuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASHIMO Kimiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUO Kazuaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IKEMOTO Manabu; (JP).
YAMAGUCHI Nobuo; (JP).
MASHIMO Kimiko; (JP).
MATSUO Kazuaki; (JP)
Agent: OKABE Masao; No. 602, Fuji Bldg. , 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2009-081834 30.03.2009 JP
Title (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SPUTTERING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a process for manufacturing a semiconductor device, in which the contents of a metal and reactive gases in a film can be improved without the need of increasing the number of steps. Also disclosed is a sputtering device. One embodiment of the process comprises: a step of placing a substrate on a substrate holder in a treatment chamber; and a film formation step of applying an electric power to a target in the treatment chamber while introducing a first reactive gas and a second reactive gas having higher reactivity than that of the first reactive gas into the treatment chamber to sputter the target, thereby forming a film containing the target material on the substrate. In the film formation step, at least the first reactive gas is introduced through a first gas inlet which is arranged adjacent to the target, and the second reactive gas is introduced through a second gas inlet which is arranged at a position which is more distant from the target compared to the first gas inlet.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, la teneur d'un film en métal et en gaz réactifs pouvant être améliorée sans qu'il soit nécessaire d'augmenter le nombre d'étapes. L'invention porte également sur un dispositif de pulvérisation cathodique. Un mode de réalisation du procédé comprend : une étape de placement d'un substrat sur un porte-substrat dans une chambre de traitement ; et une étape de formation de film consistant à appliquer une puissance électrique à une cible dans la chambre de traitement, tout en introduisant un premier gaz réactif et un second gaz réactif présentant une réactivité supérieure à celle du premier gaz réactif dans la chambre de traitement pour pulvériser par pulvérisation cathodique la cible, formant ainsi un film contenant le matériau cible sur le substrat. Dans l'étape de formation de film, au moins le premier gaz réactif est introduit à travers une première entrée de gaz qui est agencée adjacente à la cible, et le second gaz réactif est introduit à travers une seconde entrée de gaz qui est agencée à une position qui est plus distante de la cible par rapport à la première entrée de gaz.
(JA)本発明は、工程を増やすことなく金属と反応性ガスとの膜組成を改善した半導体装置の製造方法とスパッタ装置を提供する。本発明の一実施形態は、処理チャンバー内の基板ホルダーに基板を載置する工程と、前記処理チャンバーに第1反応性ガスおよび該第1反応性ガスよりも反応性が高い第2反応性ガスを導入しながら、前記処理チャンバー内のターゲットに電力を印加してスパッタリングし、ターゲット材料を含有した膜を前記基板に成膜する成膜工程とを有する。前記成膜工程は、前記ターゲットの近傍に設けられた第1ガス導入口から少なくとも前記第1反応性ガスを導入し、前記ターゲットからの距離が前記第1ガス導入口より離れた位置に設けられた第2ガス導入口から前記第2反応性ガスを導入する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)