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Pub. No.:    WO/2010/116424    International Application No.:    PCT/JP2009/003586
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 29.07.2009
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
KATO, Ryou; (For US Only).
FUJIKANE, Masaki; (For US Only).
INOUE, Akira; (For US Only).
YAMADA, Atsushi; (For US Only).
YOKOGAWA, Toshiya; (For US Only)
Inventors: KATO, Ryou; .
FUJIKANE, Masaki; .
INOUE, Akira; .
YAMADA, Atsushi; .
YOKOGAWA, Toshiya;
Agent: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Priority Data:
2009-094209 08.04.2009 JP
(JA) 半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device manufacturing method that includes a growth step (step S13) wherein a p-type gallium nitride compound semiconductor layer with the m-plane as the growth plane is grown by means of an organometallic vapor phase deposition method in a heated atmosphere, and a cooling step (step S14) wherein, after the aforementioned growth step, the p-type gallium nitride compound semiconductor layer is cooled. During the growth step, hydrogen is supplied to the reaction chamber to grow the p-type gallium nitride compound semiconductor layer, and during the cooling step the p-type gallium nitride compound semiconductor layer is cooled while the supply of hydrogen to the reaction chamber is stopped.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs qui comprend une étape de croissance (étape S13) dans laquelle une couche semi-conductrice de composé de nitrure de gallium de type p avec le plan m en tant que plan de croissance est amenée à se développer au moyen d'un procédé de dépôt en phase vapeur d'organométallique dans une atmosphère chauffée, et une étape de refroidissement (étape S14) dans laquelle, après l'étape de croissance mentionnée ci-dessus, la couche semi-conductrice de composé nitrure de gallium de type p est refroidie. Lors de l'étape de croissance, de l'hydrogène est alimenté vers la chambre de réaction pour développer la couche semi-conductrice de composé nitrure de gallium de type p, et lors de l'étape de refroidissement, la couche semi-conductrice de composé de nitrure de gallium de type p est refroidie tandis que l'alimentation en hydrogène vers la chambre de réaction est arrêtée.
(JA) 本発明の半導体素子の製造方法は、加熱された雰囲気中で、m面を成長面とするp型窒化ガリウム系化合物半導体層を有機金属気相成長法によって成長させる成長工程(ステップS13)と、前記成長工程の後、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する冷却工程(ステップS14)とを含み、成長工程では、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる反応室内に水素を供給し、冷却工程では、反応室への水素の供給を停止した状態でp型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)