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1. (WO2010116332) MEMS RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/116332    International Application No.:    PCT/IB2010/051505
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 07.04.2010
IPC:
H03H 3/007 (2006.01), H03H 9/24 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
BONTEMPS, Joep, M. [NL/NL]; (GB) (For US Only).
KONING, Jan, Jacob [NL/NL]; (GB) (For US Only).
AVOORT, Cas, van der [NL/NL]; (GB) (For US Only).
VAN BEEK, Jozef, Thomas, Martinus [NL/NL]; (GB) (For US Only)
Inventors: BONTEMPS, Joep, M.; (GB).
KONING, Jan, Jacob; (GB).
AVOORT, Cas, van der; (GB).
VAN BEEK, Jozef, Thomas, Martinus; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; c/o NXP Semiconductors IP Department Betchworth House 57-65 Station Road Redhill Surrey RH1 1DL (GB)
Priority Data:
09100232.9 09.04.2009 EP
Title (EN) MEMS RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR MEMS
Abstract: front page image
(EN)A bulk-acoustic-mode MEMS resonator has a first portion with a first physical layout, and a layout modification feature. The resonant frequency is a function of the physical layout, which is designed such that the frequency variation is less than 150ppm for a variation in edge position of the resonator shape edges of 50nm. This design combines at least two different layout features in such a way that small edge position variations (resulting from uncontrollable process variation) have negligible effect on the resonant frequency.
(FR)L'invention porte sur un résonateur à système micro-électromécanique (MEMS) à mode acoustique en volume qui comprend une première partie ayant une première configuration physique, et une caractéristique de modification de configuration. La fréquence de résonance est fonction de la configuration physique, qui est conçue de telle manière que la variation de fréquence est inférieure à 150 ppm pour une variation de position de bord des bords de la forme du résonateur de 50 nm. Cette conception combine au moins deux caractéristiques de configuration différentes de telle manière que de petites variations de position de bord (résultant de variations de traitement non maîtrisables) ont un effet négligeable sur la fréquence de résonance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)