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1. (WO2010115862) METHOD FOR BORON DOPING SILICON WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/115862    International Application No.:    PCT/EP2010/054487
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 06.04.2010
IPC:
H01L 21/223 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), C30B 31/02 (2006.01), C30B 31/12 (2006.01), C30B 31/16 (2006.01)
Applicants: SEMCO ENGINEERING SA [FR/FR]; 525 rue de la Croix Verte F-34196 Montpellier Cedex 5 (FR) (For All Designated States Except US).
PELLEGRIN, Yvon [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: PELLEGRIN, Yvon; (FR)
Agent: RAVINA, Bernard; Ravina SA 8 rue des Briquetiers, BP 10077 ZA de Font Grasse F-31703 Blagnac Cedex (FR)
Priority Data:
09/01708 06.04.2009 FR
Title (EN) METHOD FOR BORON DOPING SILICON WAFERS
(FR) PROCEDE DE DOPAGE AU BORE DE PLAQUETTES DE SILICIUM.
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for p-type boron doping of silicon wafers placed on a stand in a furnace chamber, one end of which comprises a wall in which is arranged a means for injecting reactive gases and a gas carrying a boron precursor in the gaseous state, said method including the following steps: a) causing a reaction in the chamber between the reagent gases and boron trichloride BCl3 diluted in the carrier gas with a pressure of 1 kPa to 30 kPa, and a temperature of 800ºC to 1100ºC, so as to form a layer of boron trioxide B2O3, b) diffusing the atomic boron in the silicon in an atmosphere of N2+O2 with a pressure of 1 kPa to 30 kPa. The invention also relates to a furnace for implementing said doping method as well as to the uses thereof for producing large boron-doped silicon wafers, in particular for photovoltaic applications.
(FR)L'invention a pour objet un procédé de dopage de type P par le bore de plaquettes de silicium places sur un support dans l'enceinte d'un four dont une extrémité comporte une paroi dans laquelle sont ménagés des moyens d'introduction des gaz réactifs et d'un gaz porteur d'un précurseur du bore sous forme gazeuse, ledit procédé comprenant les tapes consistant : a) faire réagir dans l'enceinte les gaz réactifs avec du trichlorure de bore BCl3 dilué dans le gaz porteur une pression comprise entre 1 kPa et 30 kPa, et une température comprise entre 800 °C et 1100 °C, pour former une couche de verre d'oxyde de bore B2O3, b) réaliser la diffusion du bore atomique dans le silicium sous atmosphère N2+O2 une pression comprise entre 1 kPa et 30 kPa. Est également revendiqué un four destin la mise en oeuvre dudit procédé de dopage ainsi que ses applications la fabrication de tranches de silicium dopé au bore de grande taille, notamment pour les applications photovoltaïques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)