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1. (WO2010115816) PROCESS CHAMBER HAVING MODULATED PLASMA SUPPLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/115816    International Application No.:    PCT/EP2010/054340
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 31.03.2010
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: Forschungsverbund Berlin e. V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
GESCHE, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GESCHE, Roland; (DE)
Agent: HENGELHAUPT, Jürgen D.; Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider Wallstraße 58/59 10179 Berlin (DE)
Priority Data:
10 2009 016 701.3 06.04.2009 DE
Title (DE) PROZESSKAMMER MIT MODULIERTER PLASMAVERSORGUNG
(EN) PROCESS CHAMBER HAVING MODULATED PLASMA SUPPLY
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT À ALIMENTATION EN PLASMA MODULÉE
Abstract: front page image
(DE)Eine Plasmakammer (10, 20, 30) mit einer an einer ersten Seite befestigten ersten Aufnahmevorrichtung für ein Substrat (14, 24, 34) und mit einer Plasmaerzeugungseinheit für das Erzeugen eines Plasmas in der Plasmakammer, wobei die Plasmaerzeugungseinheit mit einer Hochfrequenzspannungsversorgung (11, 21, 31) verbunden oder verbindbar ist. Die Hochfrequenzspannungsversorgung ist ausgebildet, eine modulierte hochfrequente Wechselspannung zu erzeugen und an die Plasmaerzeugungseinheit auszugeben. Die Plasmaerzeugungseinheit ist ausgebildet, das Plasma mit der modulierten hochfrequenten Wechselspannung zu erzeugen.
(EN)The invention relates to a plasma chamber (10, 20, 30) having a first receiving device for a substrate (14, 24, 34) fastened to a first side and having a plasma generation unit for generating a plasma in the plasma chamber, wherein the plasma generation unit is connected or can be connected to a high frequency voltage supply (11, 21, 31). The high frequency voltage supply is designed to generate a modulated, high-frequency alternating voltage and to output said voltage to the plasma generation unit. The plasma generation unit is designed to generate the plasma using the modulated, high-frequency alternating voltage.
(FR)La présente invention concerne une chambre de plasma (10, 20, 30) équipée d'un premier dispositif de réception destiné à un substrat (14, 24, 34) et fixé sur un premier côté et d'une unité de génération de plasma destinée à générer un plasma dans la chambre de plasma, l'unité de génération de plasma étant reliée ou pouvant être reliée à une alimentation électrique haute fréquence (11, 21, 31). Cette alimentation électrique est conçue pour générer une tension alternative haute fréquence modulée et la fournir à l'unité de génération de plasma. L'unité de génération de plasma est conçue pour générer le plasma avec la tension alternative haute fréquence modulée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)