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1. (WO2010115526) METHOD FOR AVOIDING CONTAMINATION AND EUV LITHOGRAPHY SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/115526    International Application No.:    PCT/EP2010/001908
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 26.03.2010
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (For All Designated States Except US).
KRAUS, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EHM, Dirk, Heinrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMIDT, Stefan-Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WIESNER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CZAP, Almut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOEHLER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CHUNG, Hin, Yiu, Anthony [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KRAUS, Dieter; (DE).
EHM, Dirk, Heinrich; (DE).
SCHMIDT, Stefan-Wolfgang; (DE).
WIESNER, Stefan; (DE).
CZAP, Almut; (DE).
KOEHLER, Stefan; (DE).
CHUNG, Hin, Yiu, Anthony; (DE)
Agent: RUPP, Stefan; Kohler Schmid Möbus Ruppmannstrasse 27 70565 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2009 016 319.0 06.04.2009 DE
61/166,975 06.04.2009 US
Title (DE) VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE
(EN) METHOD FOR AVOIDING CONTAMINATION AND EUV LITHOGRAPHY SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À ÉVITER LA CONTAMINATION ET INSTALLATION DE LITHOGRAPHIE DANS L'EXTRÊME ULTRAVIOLET
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
(EN)The invention relates to a method for preventing the passage of contaminating gaseous substances (18) through an opening (17b) in a housing (4a) of an EUV lithography system (1). At least one optical element for guiding EUV radiation (6) is arranged in the housing (4a), and the method comprises: producing at least one gas stream (21a, 21b) deflecting the contaminating substances (18, 18') and being directed in particular counter to the flow direction (Z) of the same, in the region of the opening (17b). The gas stream (21a, 21b) and the EUV radiation (6) are produced in a pulsed manner and the pulse rate of the gas stream (21a, 21b) is determined as a function of the pulse rate of the contaminating substances (18, 18') released under the action of the pulsed EUV radiation (6), wherein both pulse rates are in particular equally large, and wherein, in the region of the opening (17b), the gas pulses have a time overlap with the pulses of the contaminating substances (18, 18'). The invention also relates to an EUV lithography system on which the method can be carried out.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à éviter la pénétration de substances gazeuses contaminatrices (18) au travers d'une ouverture (17b) dans une enceinte (4a) d'une installation de lithographie dans l'extrême ultraviolet (EUV) (1). L'enceinte (4a) abrite au moins un élément optique pour le guidage du rayonnement EUV (6). Le procédé comprend l'étape consistant à produire au moins un flux gazeux (21a, 21b) au niveau de l'ouverture (17b), qui détourne les substances contaminatrices (18, 18'), en particulier qui est opposé à leur direction d'écoulement (Z). Le flux gazeux (21a, 21b) et le rayonnement EUV (6) sont produits de manière pulsée et la cadence de pulsation du flux gazeux (21a, 21b) est fixée en fonction de la cadence de pulsation des substances contaminatrices (18, 18') dégagées sous l'effet du rayonnement EUV (6) pulsé, les deux cadences de pulsation étant en particulier identiques et les pulsations de gaz se superposant dans le temps avec les pulsations des substances contaminatrices (18, 18') au niveau de l'ouverture (17b). L'invention concerne en outre une installation de lithographie EUV sur laquelle le procédé peut être mis en œuvre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)