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1. (WO2010115434) GAS SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/115434    International Application No.:    PCT/EP2009/002528
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 06.04.2009
IPC:
G01N 27/414 (2006.01)
Applicants: SENSIC AB [SE/SE]; Isafjordsgatan 39B S-164 40 Kista (SE) (For All Designated States Except US).
ANDERSSON, Mike [SE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: ANDERSSON, Mike; (SE)
Agent: LOQVIST, Mathias; Awapatent AB Box 45086 S-104 30 Stockholm (SE)
Priority Data:
Title (EN) GAS SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE GAZ
Abstract: front page image
(EN)A field effect gas sensor (1) for detection of at least one non-hydrogen containing substance in a gas comprising hydrogen or hydrogen-containing substances. The field effect gas sensor comprises a semiconductor layer (2,3) having a surface, at least one ohmic contact (8) contacting the semiconductor (3), a first electron insulating layer (7) covering at least a part of the surface of the semiconductor layer, a second insulating layer (11) comprising a material substantially chemically inert to hydrogen or hydrogen-containing substances, the second insulating layer contacting at least one of the first electron insulating layer (7) and the semiconductor layer (3), at least one electrical contact (12) contacting the second insulating material (11) and comprising a conducting, semi-conducting and/or ion conducting layer. The field effect gas sensor is configured so interaction of the at least one non-hydrogen containing substance with at least part of the at least one electrical contact affects the work function of the conducting, semi-conducting and/or ion conducting layer (12) and/or the electric field in the semiconductor layer (3) in such way that the current-voltage (I-V) or the capacitance-voltage (C-V) characteristics of said field effect gas sensor are changed, wherein the change in I-V or C-V characteristics provide information about the presence of said at least one non-hydrogen containing substance in said gas. Use of the field effect gas sensor for EGR (Exhaust Gas Recirculation) applications. Use of a material substantially chemically inert to hydrogen in a field effect gas sensor.
(FR)L'invention porte sur un détecteur de gaz à effet de champ (1) utilisé pour détecter au moins une substance ne contenant pas d'hydrogène dans un gaz renfermant de l'hydrogène ou des substances contenant de l'hydrogène. Le détecteur de gaz à effet de champ comprend une couche semi-conductrice (2, 3) présentant une surface, au moins un contact ohmique (8) en contact avec le semi-conducteur (3), une première couche (7) isolante vis-à-vis des électrons recouvrant au moins une partie de la surface de la couche semi-conductrice, une seconde couche isolante (11) renfermant un matériau qui, d'un point de vue chimique, est sensiblement inerte vis-à-vis de l'hydrogène ou des substances contenant de l'hydrogène, la seconde couche isolante étant en contact avec au moins un des éléments tels que la première couche (7) isolante vis-à-vis des électrons et la couche semi-conductrice (3), au moins un contact électrique (12) étant en contact avec le second matériau isolant (11) et comprenant une couche conductrice, semi-conductrice et/ou conductrice d'ions. Le détecteur de gaz à effet de champ est configuré de sorte qu'une interaction de la ou des substances ne contenant pas d'hydrogène avec au moins une partie du ou des contacts électriques affecte le fonctionnement de la couche conductrice, semi-conductrice et/ou conductrice d'ions (12) et/ou le champ électrique de la couche semi-conductrice (3), de telle manière qu'il en résulte une modification des caractéristiques intensité-tension (I-V) ou capacité-tension (C-V) dudit détecteur de gaz à effet de champ, la modification des caractéristiques I-V ou C-V fournissant des informations concernant la présence dans ledit gaz de ladite ou desdites substances ne contenant pas d'hydrogène. L'invention porte également sur l'utilisation du détecteur de gaz à effet de champ pour des applications concernant la recirculation des gaz d'échappement (RGE). L'invention porte également sur l'utilisation d'un matériau qui, d'un point de vue chimique, est sensiblement inerte vis-à-vis de l'hydrogène dans un détecteur de gaz à effet de champ.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)