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1. (WO2010114956) DEVICES FORMED FROM A NON-POLAR PLANE OF A CRYSTALLINE MATERIAL AND METHOD OF MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/114956 International Application No.: PCT/US2010/029552
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 01.04.2010
IPC:
H01L 31/12 (2006.01)
Applicants: LOCHTEFELD, Anthony, J.[US/US]; US (UsOnly)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.[CN/CN]; TW (AllExceptUS)
Inventors: LOCHTEFELD, Anthony, J.; US
Agent: McCLURE, Daniel, R.; Thomas, Kayden, Horstemeyer & Risley, LLP 600 Galleria Pkwy, Suite 1500 Atlanta, GA 30339-5948, US
Priority Data:
61/166,18402.04.2009US
Title (EN) DEVICES FORMED FROM A NON-POLAR PLANE OF A CRYSTALLINE MATERIAL AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS FORMÉS À PARTIR D'UN PLAN NON POLAIRE D'UN MATÉRIAU CRISTALLIN ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) Materials, methods, structures and device including the same can provide a semiconductor device such as an LED using an active region corresponding to a non-polar face or surface of III-V semiconductor crystalline material. In some embodiments, an active diode region contains more non-polar III-V material oriented to a non-polar plane than III-V material oriented to a polar plane. In other embodiments, a bottom region contains more non-polar m-plane or a-plane surface area GaN than polar c-plane surface area GaN facing an active region.
(FR) L'invention porte sur des matériaux, des procédés, des structures et un dispositif les comprenant qui peuvent produire un dispositif à semi-conducteur tel qu'une DEL à l'aide d'une région active correspondant à une face ou surface non polaire d'un matériau cristallin semi-conducteur des groupes III-V. Dans certains modes de réalisation, une région de diode active contient davantage de matériau des groupes III-V non polaire orienté dans un plan non polaire que de matériau des groupes III-V orienté dans un plan polaire. Dans d'autres modes de réalisation, une région inférieure contient davantage de GaN à surface utile de plan m ou de plan a non polaire que de GaN à surface utile de plan c polaire faisant face à une région active.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)