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1. (WO2010114893) RESISTIVE SENSE MEMORY WITH COMPLEMENTARY PROGRAMMABLE RECORDING LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/114893    International Application No.:    PCT/US2010/029385
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 31.03.2010
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 920 Disc Drive Scotts Valley, CA 95066 (US) (For All Designated States Except US).
ZHENG, Yuankai [SG/US]; (US) (For US Only).
LOU, Xiaohua [CN/US]; (US) (For US Only).
GAO, Zheng [CN/US]; (US) (For US Only).
TIAN, Wei [CN/US]; (US) (For US Only).
DIMITROV, Dimitar, V. [BG/US]; (US) (For US Only).
WANG, Dexin [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHENG, Yuankai; (US).
LOU, Xiaohua; (US).
GAO, Zheng; (US).
TIAN, Wei; (US).
DIMITROV, Dimitar, V.; (US).
WANG, Dexin; (US)
Agent: MCCARTHY, Randall, K.; Fellers, Snider, Blankenship, Bailey & Tippens, PC 100 North Broadway, Suite 1700 Oklahoma City, OK 73102 (US)
Priority Data:
12/416,976 02.04.2009 US
Title (EN) RESISTIVE SENSE MEMORY WITH COMPLEMENTARY PROGRAMMABLE RECORDING LAYERS
(FR) MÉMOIRE DE DÉTECTION RÉSISTIVE AVEC COUCHES D'ENREGISTREMENT PROGRAMMABLE COMPLÉMENTAIRES
Abstract: front page image
(EN)A resistive sense memory ( 130, 150) and method (200) of writing data thereto. In accordance with various embodiments, the resistive sense memory comprises a first reference layer (132) with a fixed magnetic orientation in a selected direction coupled to a first tunneling barrier ( 136), a second reference layer (134) with a fixed magnetic orientation in the selected direction coupled to a second tunneling barrier (138), and a recording structure (140) disposed between the first and second tunneling barriers comprising first and second free layers (142, 144). A selected logic state is written to the resistive sense memory (206, 208) by applying a programming input (148) to impart complementary first and second programmed magnetic orientations to the respective first and second free layers.
(FR)L'invention porte sur une mémoire de détection résistive (130, 150) et sur un procédé (200) d'écriture de données sur celle-ci. Selon divers modes de réalisation, la mémoire de détection résistive comprend une première couche de référence (132) avec une orientation magnétique fixe dans une direction sélectionnée couplée à une première barrière à effet tunnel (136), une seconde couche de référence (134) avec une orientation magnétique fixe dans la direction sélectionnée couplée à une seconde barrière à effet tunnel (138), et une structure d'enregistrement (140) disposée entre les première et seconde barrières à effet tunnel comprenant des première et seconde couches libres (142, 144). Un état logique sélectionné est écrit sur la mémoire de détection résistive (206, 208) par application d'une entrée de programmation (148) pour conférer des première et seconde orientations magnétiques programmées complémentaires aux première et seconde couches libres respectives.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)