WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010114798) CHIP PACKAGES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/114798 International Application No.: PCT/US2010/029066
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 29.03.2010
Chapter 2 Demand Filed: 29.10.2010
IPC:
H01L 23/52 (2006.01)
Applicants: LIN, Mou-shiung; TW (UsOnly)
LEE, Jin-yuan; TW (UsOnly)
MEGICA CORPORATION; 8f.-1, No. 29, Puding Road East District Hsin-chu, 30072, TW (AllExceptUS)
Inventors: LIN, Mou-shiung; TW
LEE, Jin-yuan; TW
Agent: DUCHENE, Dennis; Mcdermott Will & Emery LLP 11682 El Camino Real, Suite 400 San Diego, California 92130-2047, US
Priority Data:
61/164,91431.03.2009US
Title (EN) CHIP PACKAGES
(FR) BOÎTIERS DE PUCE
Abstract: front page image
(EN) Chip assemblies are disclosed that include a semiconductor substrate, multiple devices in and on the semiconductor substrate, a first metallization structure over the semiconductor substrate, and a passivation layer over the first metallization structure. First and second openings in the passivation layer expose first and second contact pads of the first metallization structure. A first metal post is positioned over the passivation layer and over the first contact pad. A second metal post is positioned over the passivation layer and over the second contact pad. A polymer layer is positioned over the passivation layer and encloses the first and second metal posts. A second metallization structure is positioned on the polymer layer, on the top surface of the first metal post and on the top surface of second metal post. The second metallization structure includes an electroplated metal. Related fabrication methods are also described.
(FR) L'invention porte sur des ensembles puces qui comprennent un substrat semi-conducteur, de multiples dispositifs dans et sur le substrat semi-conducteur, une première structure de métallisation sur le substrat semi-conducteur, et une couche de passivation sur la première structure de métallisation. Des première et seconde ouvertures dans la couche de passivation exposent des premier et second plots de contact de la première structure de métallisation. Une première tige métallique est positionnée sur la couche de passivation et sur le premier plot de contact. Une seconde tige métallique est positionnée sur la couche de passivation et sur le second plot de contact. Une couche polymère est positionnée sur la couche de passivation et entoure les première et seconde tiges métalliques. Une seconde structure de métallisation est positionnée sur la couche polymère, sur la surface supérieure de la première tige métallique et sur la surface supérieure de la seconde tige métallique. La seconde structure de métallisation comprend un métal électrodéposé. L'invention porte également sur des procédés de fabrication correspondants.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)