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1. (WO2010114787) METHOD AND STRUCTURE FOR THRESHOLD VOLTAGE CONTROL AND DRIVE CURRENT IMPROVEMENT FOR HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/114787    International Application No.:    PCT/US2010/029014
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 29.03.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
BU, Huiming [CN/US]; (US) (For US Only).
CHUDZIK, Michael, P [US/US]; (US) (For US Only).
HE, Wei [CN/US]; (US) (For US Only).
JHA, Rashmi [IN/US]; (US) (For US Only).
KIM, Young-hee [KR/US]; (US) (For US Only).
KRISHNAN, Siddarth, A. [IN/US]; (US) (For US Only).
MO, Renee, T. [US/US]; (US) (For US Only).
MOUMEN, Naim [DZ/US]; (US) (For US Only).
NATZLE, Wesley, C. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BU, Huiming; (US).
CHUDZIK, Michael, P; (US).
HE, Wei; (US).
JHA, Rashmi; (US).
KIM, Young-hee; (US).
KRISHNAN, Siddarth, A.; (US).
MO, Renee, T.; (US).
MOUMEN, Naim; (US).
NATZLE, Wesley, C.; (US)
Agent: PETROKAITIS, Joseph; International Business Machines Corporation Bldg. 321-m/d 482 2070 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
12/414,794 31.03.2009 US
Title (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR THRESHOLD VOLTAGE CONTROL AND DRIVE CURRENT IMPROVEMENT FOR HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURE PERMETTANT UNE AMÉLIORATION DU RÉGLAGE DE LA TENSION DE SEUIL ET DU COURANT D'ATTAQUE POUR TRANSISTORS À GRILLE MÉTALLIQUE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a device includes providing a substrate, forming an interfacial layer on the substrate, depositing a high-k dielectric layer on the interfacial layer, depositing an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer and performing an anneal. A high-k metal gate transistor includes a substrate, an interfacial layer on the substrate, a high-k dielectric layer on the interfacial layer and an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'un dispositif qui consiste à utiliser un substrat, former une couche interfaciale sur le substrat, déposer une couche diélectrique à constante diélectrique élevée sur la couche interfaciale, déposer une couche d'élimination d'oxygène sur la couche diélectrique à constante diélectrique élevée et effectuer un recuit. L'invention porte également sur un transistor à grille métallique à constante diélectrique élevée qui comprend un substrat, une couche interfaciale sur le substrat, une couche diélectrique à constante diélectrique élevée sur la couche interfaciale et une couche d'élimination d'oxygène sur la couche diélectrique à constante diélectrique élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)