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1. (WO2010114720) METHOD AND CIRCUIT FOR LOW POWER VOLTAGE REFERENCE AND BIAS CURRENT GENERATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/114720 International Application No.: PCT/US2010/027977
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 19.03.2010
IPC:
G05F 1/10 (2006.01)
Applicants: MARINCA, Stefan[RO/IE]; IE (UsOnly)
ANALOG DEVICES, INC.[US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062-9106, US (AllExceptUS)
Inventors: MARINCA, Stefan; IE
Agent: HAILS, Robert, L.; Kenyon & Kenyon LLP 1500 K. Street, N.W. Washington, DC 20005, US
Priority Data:
12/415,60631.03.2009US
Title (EN) METHOD AND CIRCUIT FOR LOW POWER VOLTAGE REFERENCE AND BIAS CURRENT GENERATOR
(FR) PROCÉDÉ ET CIRCUIT POUR UN GÉNÉRATEUR DE RÉFÉRENCE DE TENSION ET DE COURANT DE POLARISATION À FAIBLE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN) A system and method are provided for a PTAT cell with no resistors which can operate at low power, has less sensitivity to process variation, occupies less silicon area, and has low noise. Further, a system and method are provided to scale up the reference voltage and current through a cascade of unit cells. Still further, a system and method are provided for PTAT component to be fine-tuned, advantageously providing less process variability and less temperature sensitivity.
(FR) La présente invention porte sur un système et sur un procédé pour une cellule PTAT n'ayant pas de résistances, pouvant fonctionner à une faible puissance, ayant moins de sensibilité pour traiter des variations, occupant moins d'aire de silicium et ayant un bruit faible. En outre, la présente invention concerne un système et un procédé permettant d'augmenter la tension et le courant de référence à travers une cascade de cellules unitaires. De plus, la présente invention concerne un système et un procédé permettant à un composant PTAT d'être ajusté finement, réduisant de manière avantageuse la variabilité du processus et la sensibilité à la température.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)