WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010114406) MEMORY CELL FOR A HIGH-SPEED EEPROM AND A METHOD FOR PROGRAMMING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/114406    International Application No.:    PCT/RU2009/000149
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 30.03.2009
IPC:
G11C 16/02 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01)
Applicants: MURASHEV, Viktor Nikolaevich [RU/RU]; (RU)
Inventors: MURASHEV, Viktor Nikolaevich; (RU).
SHELEPIN, Nikolay Alekseevich; (RU)
Common
Representative:
MURASHEV, Viktor Nikolaevich [RU/RU]; ul. Profsojuznaya, 94/2-17 Moscow, 117485 (RU)
Priority Data:
Title (EN) MEMORY CELL FOR A HIGH-SPEED EEPROM AND A METHOD FOR PROGRAMMING SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE POUR MÉMOIRE EEPROM RAPIDE ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION
(RU) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ЭСППЗУ И СПОСОБ ЕЕ ПРОГРАММИРОВАНИЯ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to nanoelectronics, more specifically to non-volatile electrically erasable programmable read-only memories (EEPROM Flash memory). EEPROM Flash memory currently has a speed that is relatively slow in comparison to random access memory (DRAM), being equal, depending on the size of the memory, to tens of minutes. This is related primarily to the sequential programming of EEPROM memory cells. The invention makes it possible to increase EEPROM speed significantly as a result of a unique electric circuit for the memory cell, the functionally integrated structure of the cell, and a two-stage method for programming said cell.
(FR)L'invention se rapporte au domaine de la nanoélectronique, et plus précisément à des mémoires permanentes programmables effaçables électriquement (EEPROM) de mémoire flash. De nos jours, une EEPROM de mémoire flash a une vitesse de fonctionnement relativement lente par rapport à une mémoire vive (DRAM) qui varie, en fonction de la mémoire, d'une à plusieurs dizaines de minutes. Cela est dû avant tout au principe séquentiel de programmation des cellules de mémoire EEPROM. La présente invention permet d'accroître de plusieurs ordres de grandeur la vitesse de fonctionnement des EEPROM grâce à l'utilisation simultanée d'un circuit électrique original de la cellule de mémoire dont la structure est intégrée fonctionnellement et d'un procédé de programmation en deux étapes de celle-ci.
(RU)Изобретение относится к наноэлектронике, более конкретно к энергонезависимым электрически программируемым постоянным запоминающим устройствам \ ЭСППЗУ.\ "Flеsh" - памяти. В настоящее время ЭСППЗУ "Flеsh" - памяти имеет относительно низкое быстродействие по сравнением с оперативной памятью \ ДОЗУ \ составляющее в зависимости от размера памяти единицы - десятки минут.. Это прежде всего связано с последовательным принципом программирования ячеек памяти ЭСППЗУ. Предлагаемое изобретение позволяет на порядки повысить быстродействие ЭСППЗУ., за одновременного использования оригинальной электрической схемы ячейки памяти, функционально- интегрированной ее конструкции и двух этапного способа ее программирования.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)