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1. (WO2010114008) DEVICE FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF SILICON CARBIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/114008    International Application No.:    PCT/JP2010/055820
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 31.03.2010
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: BRIDGESTONE CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048340 (JP) (For All Designated States Except US).
SEKI, Wataru; (For US Only).
KONDO, Daisuke; (For US Only)
Inventors: SEKI, Wataru; .
KONDO, Daisuke;
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2009-090963 03.04.2009 JP
Title (EN) DEVICE FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF SILICON CARBIDE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造装置
Abstract: front page image
(EN)A device (1) for producing a single crystal of silicon carbide which comprises a reaction vessel (10) constituted of graphite and configured so that the upper opening (11b) of a cylindrical reaction vessel main body (11) has been blocked with a lid (12), and a heating member comprising a single heating coil continuously wound around the outer periphery of the reaction vessel (10) constituted of graphite and in which a sublimable starting material (50) is held on the bottom (11a) and a seed crystal (60) is attached to the inner surface (12a) of the reaction vessel. The lower coil (31), which has wound around the bottom (11a) of the reaction vessel main body (11), and the upper coil (32), which has wound around the lid (12), have coil pitches (P1 and P3) that have been set so as to be smaller than the coil pitch (P2) of the central coil (33), which has wound around the height-direction center of the reaction vessel main body (11).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif (1) permettant de fabriquer un monocristal de carbure de silicium qui comprend un récipient de réaction (10) constitué de graphite et configuré de telle sorte que l'ouverture supérieure (11b) d'un corps principal de récipient de réaction cylindrique (11) a été fermée avec un couvercle (12), et un élément chauffant comprenant une seule bobine chauffante enroulée en continu autour de la périphérie externe du récipient de réaction (10) constitué de graphite et dans lequel un matériau de départ sublimable (50) est maintenu sur la partie inférieure (11a) et un germe cristallin (60) est fixé à la surface interne (12a) du vaisseau de réaction. La bobine inférieure (31), qui est enroulée autour de la partie inférieure (11a) du corps principal de récipient de réaction (11), et la bobine supérieure (32), qui est enroulée autour du couvercle (12), ont des pas de bobine (P1 et P3) qui ont été déterminés de sorte à être plus petits que le pas de bobine (P2) de la bobine centrale (33) qui est enroulée autour du centre dans le sens de la hauteur du corps principal de récipient de réaction (11).
(JA) 本発明による炭化珪素単結晶の製造装置1は、筒状に形成された反応容器本体11の上部開口11bが蓋体12によって封鎖された黒鉛製反応容器10と、該黒鉛製反応容器10の外周側に連続して巻回された単一の加熱コイルからなる加熱部材とを備え、底部11aに昇華用原料50を収容し、反応容器の内面側12aに種結晶60を取り付ける炭化珪素単結晶の製造装置である。前記反応容器本体11の底部11aを巻回する下部コイル31および蓋体12を巻回する上部コイル32のコイルピッチP1,P3は、反応容器本体11の高さ方向中央部を巻回する中央部コイル33のコイルピッチP2よりも小さく設定している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)