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1. (WO2010113779) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/113779    International Application No.:    PCT/JP2010/055321
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 26.03.2010
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8232 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUNAGA Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUNAGA Koji; (JP)
Agent: KUDOH Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2009-083063 30.03.2009 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The both ends of each of the gate fingers are connected to the same gate bus bar. The both ends of each of a plurality of source electrodes are grounded. The source electrodes and a plurality of drain electrodes are alternately disposed one by one, and another gate fingers are disposed between the source electrodes and the drain electrodes. The drain electrodes are connected by means of an air bridge provided over the source electrode and the two gate fingers sandwiched between the drain electrodes. A ladder circuit is connected to the gate bus bar in parallel to the gate fingers, and loop oscillation conditions are adjusted.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel les deux extrémités de chaque doigt de grille sont raccordées à la même barre omnibus de grille. Les deux extrémités de chacune des électrodes d'une pluralité d'électrodes source sont mises à la terre. Les électrodes source et une pluralité d'électrodes drain sont disposées alternativement une par une, et d'autres doigts de grille sont disposés entre les électrodes source et les électrodes drain. Les électrodes drain sont raccordées au moyen d'un pont aérien disposé au-dessus de l'électrode source et des deux doigts de grille intercalés entre les électrodes drain. Un circuit en échelle est raccordé à la barre omnibus de grille en parallèle aux doigts de grille, et les conditions d'oscillation en boucle sont ajustées.
(JA) ゲートフィンガーの両端を、同一のゲートバスバーに接続する。複数のソース電極のそれぞれにおいて、両端を設置する。複数のソース電極と、複数のドレイン電極を、1つずつ交互に配置し、ソース電極とドレイン電極との間にゲートフィンガーをさらに配置する。ドレイン電極同士を、間に挟まれたソース電極および2本のゲートフィンガーを跨ぐエアブリッジで接続する。ゲートバスバーに、ラダー回路を、ゲートフィンガーと並列に、接続して、ループ発振条件を調整する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)