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1. (WO2010113750) SOLAR CELL
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Pub. No.:    WO/2010/113750    International Application No.:    PCT/JP2010/055195
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 25.03.2010
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
ASAUMI, Toshio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKATA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASAUMI, Toshio; (JP).
SAKATA, Hitoshi; (JP)
Agent: MIYAZONO, Hirokazu; Shin-Osaka MT Building I, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2009-081023 30.03.2009 JP
(JA) 太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A solar cell, wherein the inclusion of undesirable impurities is suppressed, and solar cell properties are good. This solar cell (100) is provided with: a semiconductor substrate (10) having a light-receiving surface and a back surface; a first semiconductor layer (12a) of a first conductivity type, formed at a predetermined region on the back surface of the semiconductor substrate; a second semiconductor layer (13a) of a second conductivity type, formed extending over the surface of the first semiconductor layer from the back surface of the semiconductor substrate; and a cap layer (30) formed between the first semiconductor layer and second semiconductor layer, and not including impurities of the first conductivity type.
(FR)L'invention concerne une pile solaire, l'inclusion d'impuretés indésirables étant supprimée, et les propriétés de la pile solaire étant bonnes. Cette pile solaire (100) comprend : un substrat semi-conducteur (10) comprenant une surface recevant la lumière et une surface arrière; une première couche semi-conductrice (12a) d'un premier type de conductivité, formée sur une région prédéterminée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur; une deuxième couche semi-conductrice (13a) d'un deuxième type de conductivité, s'étendant sur la surface de la première couche semi-conductrice depuis la surface arrière du substrat semi-conducteur; et une couche de revêtement (30) formée entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice, et ne comprenant pas d'impuretés du premier type de conductivité.
(JA) 不所望の不純物の混入を抑制し、良好な太陽電池特性を有する太陽電池が得られる。この太陽電池(100)は、受光面および裏面を有する半導体基板(10)と、半導体基板の裏面上の所定領域に形成された第1導電型の第1半導体層(12a)と、半導体基板の裏面上から第1半導体層の表面上に跨って形成された第2導電型の第2半導体層(13a)と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成され、第1導電型の不純物を含まないキャップ層(30)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)