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1. (WO2010113386) INSPECTION CONDITION DATA GENERATION METHOD AND INSPECTION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR WAFER APPEARANCE INSPECTION APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/113386    International Application No.:    PCT/JP2010/001375
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 01.03.2010
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01)
Applicants: TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; Nihonbashi Muromachi Bldg., 3-16, Nihonbashi-Hongokucho 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030021 (JP) (For All Designated States Except US).
OHMI, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMI, Hidekazu; (JP).
YAMAMOTO, Hisashi; (JP)
Agent: WATANABE, Hisashi; c/o SHINJYU GLOBAL IP South Forest Bldg. 11F 1-4-19, Minamimori-machi Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300054 (JP)
Priority Data:
2009-087456 31.03.2009 JP
Title (EN) INSPECTION CONDITION DATA GENERATION METHOD AND INSPECTION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR WAFER APPEARANCE INSPECTION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE DONNÉES DE CONDITION D'INSPECTION ET SYSTÈME D'INSPECTION D'UN APPAREIL D'INSPECTION D'ASPECT DE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体ウエーハ外観検査装置の検査条件データ生成方法及び検査システム
Abstract: front page image
(EN)A wafer inspection condition generation method for generating inspection condition data for a plurality of inspection apparatuses which inspect the appearance of semiconductor chips formed on wafers (10). The method is provided with the following steps: a step of calculating the individual difference, for each wafer inspection apparatus (A to C), from a design value, then registering individual difference correction data; a step of generating inspection condition data using a wafer (10), at any selected wafer inspection apparatus (A); a step of generating common inspection condition data from the inspection condition data and the individual correction data of the selected wafer inspection apparatus (A); and a step of generating inspection condition data for each wafer inspection apparatus (B to C), from the common inspection condition data and the individual difference correction data of the corresponding wafer inspection apparatus (B to C).
(FR)L'invention concerne un procédé de génération de condition d'inspection de tranche pour générer des données de condition d'inspection pour une pluralité d'appareils d'inspection qui inspectent l'aspect des puces semi-conductrices formées sur des tranches (10). Le procédé comprend les étapes suivantes : calcul de la différence individuelle, pour chaque appareil d'inspection de tranche (A à C), à partir d'une valeur de calcul ; puis, enregistrement des données de correction de différence individuelle ; génération de données de condition d'inspection en utilisant une tranche (10), sur un quelconque appareil d'inspection de tranche sélectionné (A) ; génération de données de condition d'inspection communes à partir des données de condition d'inspection et des données de correction individuelle de l'appareil d'inspection de tranche sélectionné (A) ; et génération de données de condition d'inspection pour chaque appareil d'inspection de tranche (B à C), à partir des données de condition d'inspection communes et des données de correction de différence individuelle de l'appareil d'inspection de tranche (B à C) correspondant.
(JA) ウエーハ検査条件生成方法は、ウエーハ10上に形成された半導体チップの外観を検査する複数の検査装置の検査条件データを生成する方法であって、以下のステップを備えている。ウエーハ検査装置A~C毎に設計値に対する機差を算出し、次に機差補正データを登録するステップ、選択されたいずれかのウエーハ検査装置(A)において、ウエーハ10を用いて検査条件データを生成するステップ、検査条件データと選択されたいずれかのウエーハ検査装置(A)の機差補正データとから、共通検査条件データを生成するステップ、共通検査条件データとウエーハ検査装置B~C毎の機差補正データとから、ウエーハ検査装置B~C毎の検査条件データを生成するステップである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)