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1. (WO2010113163) VERTICAL ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/113163    International Application No.:    PCT/IL2010/000286
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 06.04.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/10 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01)
Applicants: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD [IL/IL]; Technion City 32000 Haifa (IL) (For All Designated States Except US).
TESSLER, Nir [IL/IL]; (IL) (For US Only).
BEN-SASSON, Ariel [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: TESSLER, Nir; (IL).
BEN-SASSON, Ariel; (IL)
Agent: REINHOLD COHN AND PARTNERS; P.O.B. 13239 61131 Tel-Aviv (IL)
Priority Data:
61/164,442 29.03.2009 US
61/235,048 19.08.2009 US
Title (EN) VERTICAL ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE VERTICAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)An electronic device (100) is presented, being configured for example as a vertical field effect transistor. The device comprises an electrically-conductive perforated patterned structure (102) which is enclosed between a dielectric layer (105) and an active element (106) of the electronic device (100). The electrically-conductive perforated patterned structure (102) comprises a geometrical pattern defining an array of spaced- apart perforation regions (108) surrounded by continuous electrically conductive regions (110). The pattern is such as to allow the active element (106) of the electronic device (100) to be in direct contact with said dielectric layer (105) aligned with the perforation regions (108). A material composition of the device (100) and features of said geometrical pattern are selected to provide a desired electrical conductance of the electrically-conductive perforated patterned structure (102) and a desired profile of a charge carriers' injection barrier along said structure (102).
(FR)La présente invention concerne un dispositif électronique (100), conçu par exemple en tant que transistor à effet de champ vertical. Ledit dispositif comprend une structure à motifs perforée, électriquement conductrice (102), qui est enfermée entre une couche diélectrique (105) et un élément actif (106) du dispositif électronique (100). La structure à motifs perforée, électriquement conductrice (102), comprend un modèle géométrique définissant un ensemble de régions de perforations espacées (108) entourées de régions continues électriquement conductrices (110). Ledit modèle est tel qu'il permet à l'élément actif (106) du dispositif électronique (100) d'être en contact direct avec ladite couche électrique (105) alignée sur les régions de perforation (108). Une composition de matériau du dispositif (100) et des caractéristiques dudit modèle géométrique sont sélectionnées pour procurer une conductance électrique souhaitée de la structure à motifs perforée, électriquement conductrice (102), et un profil souhaité d'une barrière d'injection de porteurs de charge le long de ladite structure (102).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)