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1. (WO2010111986) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND COMPONENT ARRANGEMENT HAVING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/111986    International Application No.:    PCT/DE2009/000477
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 03.04.2009
IPC:
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 25/075 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HÖPPEL, Lutz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÖPPEL, Lutz; (DE)
Agent: LETTENBERGER, Michael; Epping Hermann Fischer Patentanwaltsgesellschaft Mbh Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Priority Data:
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BAUELEMENTANORDNUNG MIT MEHREREN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND COMPONENT ARRANGEMENT HAVING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET ENSEMBLE COMPRENANT PLUSIEURS COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit folgenden Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats mit einer darauf angeordneten Halbleiterschicht zur Erzeugung einer im Betrieb aktiven Zone, B) Aufbringen von Trennstrukturen auf der Halbleiterschicht, C) Aufbringen einer Vielzahl von Kupferschichten auf der Halbleiterschicht in den durch die Trennstrukturen begrenzten Bereichen, D) Entfernen der Trennstrukturen, E) Aufbringen einer Schutzschicht zumindest auf den lateralen Flächen der Kupferschichten, F) Aufbringen eines Hilfssubstrats auf der Kupferschicht, G) Entfernen des Aufwachssubstrats, H) Vereinzeln des Verbunds aus der Halbleiterschicht, der Kupferschichten und dem Hilfssubstrat zu voneinander getrennten Bauelementen sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement und eine Bauelementanordnung.
(EN)The invention relates to a method for producing optoelectronic components, having the following steps: A) providing a growth substrate having a semiconductor layer arranged thereon for generating a zone which is active during operation, B) applying separating structures to the semiconductor layer, C) applying a multiplicity of copper layers to the semiconductor layer in the regions delimited by the separating structures, D) removing the separating structures, E) applying a protective layer at least to the lateral surfaces of the copper layers, F) applying an auxiliary substrate to the copper layer, G) removing the growth substrate, H) singularizing the composite comprising the semiconductor layer, the copper layers and the auxiliary substrate to form components which are separate from one another, and to a component produced using this method and to a component arrangement.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de composants optoélectroniques comportant les étapes suivantes: A) production d'un substrat d'épitaxie avec une couche semi-conductrice disposée sur celui-ci pour produire une zone active en service, B) application de structures de séparation sur la couche semi-conductrice, C) application d'une pluralité de couches de cuivre sur la couche semi-conductrice dans les zones délimitées par les structures de séparation, D) enlèvement des structures de séparation, E) application d'une couche de protection au moins sur les surfaces latérales des couches de cuivre, F) application d'un substrat auxiliaire sur les couches de cuivre, G) enlèvement du substrat d'épitaxie, H) division du composite constitué de la couche semi-conductrice, des couches de cuivre et du substrat auxiliaire en composants séparés les uns des autres. L'invention concerne également un composant fabriqué avec ce procédé et un ensemble de composants.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)