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1. (WO2010111969) DUAL-STAGE EXCHANGE SYSTEM FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/111969    International Application No.:    PCT/CN2010/071540
Publication Date: 07.10.2010 International Filing Date: 02.04.2010
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Applicants: TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; Post Box100084 branch 82, Tsinghua University patent Office, Haidian District Beijing 100084 (CN) (For All Designated States Except US).
ZHU, Yu [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Ming [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Jingsong [CN/CN]; (CN) (For US Only).
TIAN, Li [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XU, Dengfeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
YIN, Wensheng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
DUAN, Guanghong [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HU, Jinchun [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: ZHU, Yu; (CN).
ZHANG, Ming; (CN).
WANG, Jingsong; (CN).
TIAN, Li; (CN).
XU, Dengfeng; (CN).
YIN, Wensheng; (CN).
DUAN, Guanghong; (CN).
HU, Jinchun; (CN)
Agent: BEIJING GRANDERIP LAW FIRM; Suite 519, Huapu International Plaza No.19, Chaoyang Men Wai Avenue, Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Priority Data:
200910131505.0 03.04.2009 CN
Title (EN) DUAL-STAGE EXCHANGE SYSTEM FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS
(FR) SYSTÈME D'ÉCHANGE À DOUBLE ÉTAGE POUR APPAREIL LITHOGRAPHIQUE
(ZH) 一种光刻机双台交换系统
Abstract: front page image
(EN)A dual-stage exchange system for a lithographic apparatus comprises a silicon chip stage (10) operating in an exposure workstation (6) and a silicon chip stage (12) operating in a pre-processing workstation (7). Each silicon chip stage (10, 12) is supported by a six-freedom micro-motion stage, respectively. The silicon chip stage (10, 12) and the six-freedom micro-motion stage form a silicon chip stage group. The two silicon chip stage groups are provided on the same rectangle base stage (1) and suspended on an upper surface (2) of the base stage by air bearings. A double-freedom driving unit (21a, 21b, 22a, 22b) is provided on each edge of the base stage (1), respectively. The six-freedom micro-motion stage of the silicon chip stage group has an upper layer driver and a lower layer driver, capable of achieving six-freedom control. The double-freedom driving units (21a, 21b) on the long edges of the base stage are connected with the bases (62) of the six-freedom micro-motion stages, and the double-freedom driving units (22a, 22b) on the short edges of the base stage are connected with the stator coils (63) of the upper layer drivers of the six-freedom micro-motion stages.
(FR)L'invention porte sur un système d'échange à double étage pour un appareil lithographique, lequel système comprend un étage de puce en silicium (10) fonctionnant dans une station de travail d'exposition (6) et un étage de puce en silicium (12) fonctionnant dans une station de travail de prétraitement (7). Chaque étage de puce en silicium (10, 12) est supporté par un étage à micromouvement à six degrés de liberté, respectivement. L'étage de puce en silicium (10, 12) et l'étage à micromouvement à six degrés de liberté forment un groupe d'étages de puce en silicium. Les deux groupes d'étages de puce en silicium sont disposés sur le même étage de base rectangle (1) et suspendus à une surface supérieure (2) de l'étage de base par des paliers à air. Une unité d'entraînement à deux degrés de liberté (21a, 21b, 22a, 22b) est disposée sur chaque bord de l'étage de base (1), respectivement. L'étage à micromouvement à six degrés de liberté du groupe d'étages de puce en silicium possède un pilote de couche supérieure et un pilote de couche inférieure, capables d'obtenir une commande à six degrés de liberté. Les unités d'entraînement à deux degrés de liberté (21a, 21b), sur les bords longs des étages de base, sont reliées aux bases (62) des étages à micromouvement à six degrés de liberté, et les unités d'entraînement à deux degrés de liberté (22a, 22b), sur les bords courts de l'étage de base, sont reliées aux bobines de stator (63) des pilotes de couche supérieure des étages à micromouvement à six degrés de liberté.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)