(EN) Disclosed is a semiconductor device (700) comprising a substrate and an optical sensor unit (700) formed on the substrate. The optical sensor unit (700) comprises a first thin film diode (701A) capable of detecting a light in a first wavelength range and a second thin film diode (701B) capable of detecting a light in a second wavelength range that contains wavelengths longer than the longest wavelength in the first wavelength range, and can detect a light to generate a sensing signal. The first thin film diode (701A) and the second thin film diode (701B) are connected in parallel to each other. The sensing signal is generated based on either one of the output from the first thin film diode (701A) and the output from the second thin film diode (701B). In the semiconductor device (700), the wavelength range that can be detected by the optical sensor unit can be expanded and the sensing sensitivity can be increased.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur (700) comprenant un substrat et une unité de capteur optique (700) formée sur le substrat. L'unité de capteur optique (700) comprend une première diode à couche mince (701A) capable de détecter une lumière dans une première plage de longueur d'onde et une seconde diode à couche mince (701B) capable de détecter une lumière dans une seconde plage de longueur d'onde qui contient des longueurs d'onde plus longues que la plus longue longueur d'onde incluse dans la première plage de longueur d'onde, et qui peut détecter une lumière afin de générer un signal de détection. La première diode à couche mince (701A) et la seconde diode à couche mince (701B) sont connectées en parallèle l'une à l'autre. Le signal de détection est généré sur la base de l'une ou l'autre de la sortie de la première diode à couche mince (701A) et de la sortie de la seconde diode à couche mince (701B). Dans le dispositif à semi-conducteur (700), la plage de longueur d'onde qui peut être détectée par l'unité de capteur optique peut être élargie et la sensibilité de détection peut être accrue.
(JA) 半導体装置700は、基板と、基板上に形成された、第1の波長域の光を検知する第1薄膜ダイオード701A、および、第1の波長域の最大波長よりも長い波長を含む第2の波長域の光を検知する第2薄膜ダイオード701Bを含み、光を検知してセンシング信号を生成する光センサー部700とを備え、第1薄膜ダイオード701Aおよび第2薄膜ダイオード701Bは並列に接続されており、センシング信号は、第1および第2薄膜ダイオード701A、701Bのうち何れか一方の出力に基づいて生成される。これにより、光センサー部で検知可能な波長域を拡大し、かつ、センシング感度を高めることができる。