(DE) Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.
(EN) A method for structuring a semiconductor surface is disclosed. Said method includes the following steps: providing a first wafer (1) that has a structured surface (11); providing a second semiconductor wafer (2); applying a photoresist (2) to the outer surfaces of the second semiconductor wafer (3); structuring the surface of the photoresist (2) facing away from the second semiconductor wafer (3) by impressing the structured surface (11) of the first wafer (1) into the photoresist (2); using a structuring process (6) on the structured surface (21) of the photoresist (2) such that the structure applied to the photoresist (2) is transferred to at least some points on the outer surface (31) of the second semiconductor wafer (3).
(FR) L'invention concerne un procédé de structuration de la surface d'un semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : fourniture d'une première tranche (1) possédant une surface structurée (11) ; fourniture d'une deuxième tranche de semi-conducteur (3) ; application d'un vernis photosensible (2) sur les surfaces extérieures de la deuxième tranche de semi-conducteur (3) ; structuration de la surface du vernis photosensible (2) tournée à l'opposé de la deuxième tranche de semi-conducteur (3) en appliquant la surface structurée (11) de la première tranche (1) sur le vernis photosensible (2) ; utilisation d'un procédé de structuration (6) sur la surface structurée (21) du vernis photosensible (2). La structure appliquée au vernis photosensible (2) est au moins par endroits transférée sur la surface extérieure (31) de la deuxième tranche de semi-conducteur (3).