(EN) Disclosed is an epitaxial SiC single crystal substrate which has a high-quality epitaxial film that is obtained by epitaxial growth using a substrate having an off angle of 6° or less, while suppressing the formation of step-bunching. Also disclosed is a method for producing the epitaxial SiC single crystal substrate. Specifically disclosed is an epitaxial silicon carbide single crystal substrate which is obtained by forming a silicon carbide single crystal thin film on a silicon carbide single crystal substrate having an off angle of 6° or less. The epitaxial silicon carbide single crystal substrate is characterized in that the surface roughness (Ra) of the surface of the silicon carbide single crystal thin film is not more than 0.5 nm. Also specifically disclosed is a method for producing the epitaxial silicon carbide single crystal substrate.
(FR) L'invention porte sur un substrat monocristallin de SiC épitaxial qui a un film épitaxial de qualité élevée qui est obtenu par croissance épitaxiale à l'aide d'un substrat ayant un angle de décalage de 6° ou moins, tout en supprimant la mise en paquets de marches. L'invention porte également sur un procédé de production du substrat monocristallin de SiC épitaxial. De façon spécifique, l'invention porte sur un substrat monocristallin de carbure de silicium épitaxial qui est obtenu par formation d'un film mince de monocristal de carbure de silicium sur un substrat monocristallin de carbure de silicium ayant un angle de décalage de 6° ou moins. Le substrat monocristallin de carbure de silicium épitaxial est caractérisé en ce que la rugosité de surface (Ra) de la surface du film mince monocristallin de carbure de silicium n'est pas supérieure à 0,5 nm. De façon spécifique, l'invention porte également sur un procédé de production du substrat monocristallin de carbure de silicium épitaxial.
(JA) 本発明は、オフ角度が6°乃至それ以下の基板を用いたエピタキシャル成長において、ステップ-バンチングの発生を抑えた高品質エピタキシャル膜を有するエピタキシャルSiC単結晶基板、及びその製造方法を提供するものである。オフ角度が6°以下である炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶薄膜を形成したエピタキシャル炭化珪素単結晶基板であって、前記炭化珪素単結晶薄膜表面の表面粗さ(Ra値)が0.5nm以下であることを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板エピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法である。