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1. WO2010083705 - THIN FILM TEMPERATURE-DIFFERENCE CELL AND FABRICATING METHOD THEREOF

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

权利要求书

一种薄膜温差电池,其特征在于,包括基片,

所述基片的一面依次并反复镀制有 P型热电材料薄膜层、绝缘材料 薄膜层和 N型热电材料薄膜层;

一组所述 P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和 N型热电材料薄 膜层形成一个三层膜,所述三层膜的 P型热电材料薄膜层和 N型热 电材料薄膜层在绝缘材料薄膜层的一端连接,形成一个 PN结; 相邻两个所述 PN结间镀有一层绝缘材料薄膜层相隔,且所述相隔 绝缘材料薄膜层两侧的三层膜 PN结从所述相隔绝缘材料薄膜层的 一端连接,形成所述 PN结间的串联;

从所述基片的一面最外的薄膜层引出一个电极和从所述基片的上 面引出另一个电极。

如权利要求 1所述温差电池,其特征在于,所述基片的厚度为: 0.1 mm至 100mm, 所述 P型热电材料薄膜层的厚度为: lnm至 ΙΟμηι; 所述 Ν型热电材料薄膜层的厚度为: lnm至 10μηι。

如权利要求 1所述薄膜温差电池,其特征在于,所述基片的形状是 规则的矩形、或者方形。

如权利要求 1所述薄膜温差电池,其特征在于,所述基片裸露的侧 面形状是平面或者是曲面。

如权利要求 1所述薄膜温差电池,其特征在于,所述基片为绝缘材 料基片、 Ρ型热电材料基片或者 Ν型热电材料基片。

一种薄膜温差电池,其特征在于,包括基片,

所述基片的两面依次并反复镀制有 Ρ型热电材料薄膜层、绝缘材料 薄膜层和 Ν型热电材料薄膜层;一组所述 Ρ型热电材料薄膜层、绝 缘材料薄膜层和 Ν型热电材料薄膜层形成一个三层膜,所述三层膜 的 Ρ型热电材料薄膜层和 Ν型热电材料薄膜层在绝缘材料薄膜层的 一端连接,形成一个 ΡΝ结;

相邻两个所述 ΡΝ结间镀有一层绝缘材料薄膜层相隔,且所述相隔 绝缘材料薄膜层两侧的三层膜 PN结从所述相隔绝缘材料薄膜层的 一端连接,形成所述 PN结间的串联;

分别从所述基片两面的最外的薄膜层引出电极。

[Claim 7] 一种薄膜温差电池的制作方法,其特征在于,包括步骤:

选用基片,将所述基片的侧面遮档住;

在所述基片一面预留一电极;

在所述基片预留电极的面镀制 P型热电材料薄膜层;

档住所述基片及已镀薄膜层的一端和全部侧面,在所述 P型热电材 料薄膜层上镀制绝缘材料薄膜层;

档住基片及已镀薄膜层的侧面,在镀制的绝缘材料薄膜层上镀制 N 型热电材料薄膜层形成一个三层膜,所述三层膜的 P型热电材料薄 膜层和 N型热电材料薄膜层在前述被档住的一端连接,形成一个 P N结;

重复上述过程形成多个 PN结;

在相邻两个所述 PN结间镀制一层绝缘材料薄膜层相隔,且镀制所 述相隔绝缘材料薄膜层吋,档住所述基片及已镀薄膜层的另一端 及全部侧面,与所述相隔绝缘材料薄膜层相邻的两个三层膜 PN结 从所述被档端连接,形成所述两个 PN结间的串联。

从最后一个三层膜的 PN结的最外的薄膜层引出另一电极,形成薄 膜温差电池的主体结构。

[Claim S] 一种薄膜温差电池的制作方法,其特征在于,在基片的两面镀制 多层膜,包括步骤:

选用基片,将所述基片的侧边遮档住;

在所述基片的一面镀制 P型热电材料薄膜层; 档住所述基片及已镀薄膜层的一端和全部侧面,在所述 P型热电材 料薄膜层上镀制绝缘材料薄膜层;

档住基片及已镀薄膜层的侧面,在镀制的绝缘材料薄膜层上镀制 N 型热电材料薄膜层形成一个三层膜,所述三层膜的 P型热电材料薄 膜层和 N型热电材料薄膜层在前述被档住的一端连接,形成一个 P N结;

重复上述过程形成多个 PN结;

在相邻两个所述 PN结间镀制一层绝缘材料薄膜层相隔,且镀制所 述相隔绝缘材料薄膜层吋,档住所述基片及已镀薄膜层的另一端 及全部侧面,与所述相隔绝缘材料薄膜层相邻的两个三层膜 PN结 从所述被档端连接,形成所述两个 PN结间的串联;

从最后一个三层膜的 PN结的最外的薄膜层引出一电极; 在所述基片的另一面重复上述过程再形成多个串联的三层膜 PN结 ,分别从所述基片两面的最后一个三层膜 PN结的最外的薄膜层引 出电极。形成薄膜温差电池的主体结构。