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1. (WO2010083705) THIN FILM TEMPERATURE-DIFFERENCE CELL AND FABRICATING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2010/083705 International Application No.: PCT/CN2009/075419
Publication Date: 29.07.2010 International Filing Date: 09.12.2009
Chapter 2 Demand Filed: 08.09.2010
IPC:
H01L 35/32 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35
Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
28
operating with Peltier or Seebeck effect only
32
characterised by the structure or configuration of the cell or thermo-couple forming the device
Applicants:
深圳大学 SHENZHEN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区深圳大学科技楼308A室 Room 308A, Science Building Shenzhen University, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518060, CN (AllExceptUS)
范平 FAN, Ping [CN/CN]; CN (UsOnly)
张东平 ZHANG, Dongping [CN/CN]; CN (UsOnly)
郑壮豪 ZHENG, Zhuanghao [CN/CN]; CN (UsOnly)
粱广兴 LIANG, Guangxing [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventors:
范平 FAN, Ping; CN
张东平 ZHANG, Dongping; CN
郑壮豪 ZHENG, Zhuanghao; CN
粱广兴 LIANG, Guangxing; CN
Agent:
深圳市君胜知识产权代理事务所 JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SHENZHEN); 中国广东省深圳市 南山区麒麟路1号南山科技创业服务中心308、309 Room 309, Knowledge Service Building No.1 Qilin Road, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518052, CN
Priority Data:
200910105172.420.01.2009CN
Title (EN) THIN FILM TEMPERATURE-DIFFERENCE CELL AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) CELLULE À COUCHE MINCE À DIFFÉRENCE DE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜温差电池及其制作方法
Abstract:
(EN) A thin film temperature-difference cell and the fabricating method thereof are provided. The method comprises that: a P-type thermoelectric material layer, an insulating material layer and an N-type thermoelectric material layer are plated on a base (101) to form a three-layer PN junction or a plurality of three-layer PN junctions connected in series. The insulating-material layer in each three-layer PN junction separates the three-layer PN junction, and electrodes (102,110) are respectively led out from the upper surface of the base and the outermost layer of the last three-layer PN junction. Because the method adopts forming the three-layer PN junction by plating the P-type thermoelectric-material layer, the insulating-material layer and the N-type thermoelectric-material layer to form a thermocouple, no special process for connecting the P-type thermoelectric materials and N-type thermoelectric materials is needed during the plating process of the thermoelectric-material layers, and the fabrication technology of the thin film temperature-difference cell is simplified. Due to the characteristics of thin film thermoelectric materials, and the structure of a multi-layer film is a series connection structure of a plurality of three-layer PN junctions, the performance of the fabricated thin film temperature-difference cell is greatly enhanced.
(FR) L'invention concerne une cellule à couche mince à différence de température et son procédé de fabrication. Le procédé met en œuvre une couche de matériau thermoélectrique de type P, une couche de matériau isolant et une couche de matériau thermoélectrique de type N plaquées sur une base (101) pour former une jonction PN à trois couches ou une pluralité de jonctions PN à trois couches reliées en série. La couche de matériau isolant de chaque jonction PN à trois couches sépare la jonction PN à trois couches, et des électrodes (102,110) sont respectivement dirigées de la surface supérieure de la base à la couche la plus à l'extérieur de la jonction PN à trois couches. Du fait que le procédé adopte la formation de la jonction PN à trois couches par placage de la couche de matériau thermoélectrique de type P, de la couche de matériau isolant et de la couche de matériau thermoélectrique de type N pour former un thermocouple, aucun procédé spécial n'est requis pour connecter les matériaux thermoélectriques de type P et les matériaux thermoélectriques de type N pendant le procédé de placage des couches de matériau thermoélectrique, la technologie de fabrication de la cellule à couche mince à différence de température étant ainsi simplifiée. Du fait des caractéristiques des matériaux thermoélectriques à couche mince, la structure d'un film multicouche étant une structure connectée en série d'une pluralité de jonctions N à trois couches, la performance de la cellule à couche mince à différence de température fabriquée est grandement améliorée.
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)
Also published as:
EP2381497JP2012516030US20110197942