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1. (WO2010077846) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD WITH CONTINUOUS SCANNING TIME-DOMAIN SENSING
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Pub. No.: WO/2010/077846 International Application No.: PCT/US2009/067993
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 15.12.2009
IPC:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26
Sensing or reading circuits; Data output circuits
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56
using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
Applicants:
SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
CERNEA, Raul-Adrian [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
CERNEA, Raul-Adrian; US
Agent:
YAU, Philip; Davis Wright Tremaine LLP 505 Montgomery Street, Suite 800 San Francisco, CA 94111, US
Priority Data:
12/347,87631.12.2008US
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD WITH CONTINUOUS SCANNING TIME-DOMAIN SENSING
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ AVEC DÉTECTION DANS LE DOMAINE TEMPOREL À BALAYAGE CONTINU
Abstract:
(EN) A page of non-volatile multi-level memory cells on a word line is sensed in parallel by sense amps via bit lines. A predetermined input sensing voltage as an increasing function of time applied to the word line allows scanning of the entire range of thresholds of the memory cell in one sweep. Sensing of the thresholds of individual cells is then reduced to a time-domain sensing by noting the times the individual cells become conducting. Each conducting time, adjusted for delays in the word line and the bit line, can be used to derive the sensing voltage level that developed at the word line local to the cell when the cell became conducting. The locally developed sensing voltage level yields the threshold of the cell. This time-domain sensing is relative insensitive to the number of levels of a multi-level memory and therefore resolve many levels rapidly in one sweep.
(FR) Selon l'invention, une page de cellules mémoires non volatiles à niveaux multiples sur une ligne de mots est détectée en parallèle par des amplificateurs de détection par le biais de lignes de bits. Une tension de détection d'entrée prédéterminée en tant que fonction croissante du temps, appliquée à la ligne de mots, permet le balayage de la plage entière de seuils de la cellule mémoire en un seul balayage. La détection des seuils des cellules individuelles est ensuite réduite à une détection dans le domaine temporel en notant les temps auxquels les cellules individuelles deviennent conductrices. Chaque temps de conduction, réglé pour des retards dans la ligne de mots et la ligne de bits, peut être utilisé pour déduire le niveau de la tension de détection qui s'est développée à la ligne de mots au niveau local de la cellule lorsque les cellules sont devenues conductrices. Le niveau de tension de détection développée localement produit le seuil de la cellule. Cette détection dans le domaine temporel est relativement insensible au nombre de niveaux d'une mémoire à niveaux multiples et elle résout par conséquent plusieurs niveaux rapidement et en un balayage.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP2370976JP2012514283CN102272852KR1020110121676