Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2010077611) DIGITALLY-CONTROLLABLE DELAY FOR SENSE AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2010/077611 International Application No.: PCT/US2009/066999
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 07.12.2009
IPC:
G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/22 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06
Sense amplifiers; Associated circuits
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
22
Read-write (R-W) timing or clocking circuits; Read-write (R-W) control signal generators or management
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02
using magnetic elements
16
using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Applicants:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US (AllExceptUS)
PARK, Dongkyu [KR/US]; US (UsOnly)
DAVIERWALLA, Anosh B. [IN/US]; US (UsOnly)
ZHONG, Cheng [CN/US]; US (UsOnly)
ABU-RAHMA, Mohamed Hassan Soliman [EG/US]; US (UsOnly)
YOON, Sei Seung [KR/US]; US (UsOnly)
Inventors:
PARK, Dongkyu; US
DAVIERWALLA, Anosh B.; US
ZHONG, Cheng; US
ABU-RAHMA, Mohamed Hassan Soliman; US
YOON, Sei Seung; US
Agent:
TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US
Priority Data:
12/329,94108.12.2008US
Title (EN) DIGITALLY-CONTROLLABLE DELAY FOR SENSE AMPLIFIER
(FR) RETARD À COMMANDE NUMÉRIQUE POUR AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION
Abstract:
(EN) Circuits, apparatuses, and methods of interposing a selectable delay in reading a magnetic random access memory (MRAM) device are disclosed. A circuit includes a sense amplifier (160), having a first input (162), a second input (164), and an enable input (166); a first amplifier (132) coupled to an output of a magnetic resistance-based memory cell (112); a second amplifier (134) coupled to a reference output of the cell; and a digitally-controllable amplifier (136) coupled to a tracking circuit cell (116) that is similar to the cell of the MRAM. The first input of the sense amplifier is coupled to the first amplifier, the second input of the sense amplifier is coupled to the second amplifier, and the enable input is coupled to the third digitally-controllable amplifier via a logic circuit (150). The sense amplifier may generate an output value based on the amplified values received from the output of the magnetic resistance-based memory cell and the reference cell once the sense amplifier receives an enable signal (152) from the digitally-controllable amplifier via the logic circuit.
(FR) L'invention concerne des circuits, appareils et procédés permettant d'interposer un retard pouvant être sélectionné dans la lecture d'un dispositif à mémoire vive magnétique (MRAM). Un tel circuit comprend un amplificateur de détection (160) comportant une première entrée (162), une deuxième entrée (164) et une entrée d'activation (166) ; un premier amplificateur (132) couplé à la sortie d'une cellule mémoire à base de résistance magnétique (112) ; un deuxième amplificateur (134) couplé à une sortie de référence de la cellule ; et un amplificateur à commande numérique (136) couplé à une cellule de circuit de pistage (116) qui est similaire à la cellule de la MRAM. La première entrée de l'amplificateur de détection est couplée au premier amplificateur, la deuxième entrée de l'amplificateur de détection est couplée au deuxième amplificateur, et l'entrée d'activation est couplée au troisième amplificateur à commande numérique via un circuit logique (150). L'amplificateur de détection peut générer une valeur de sortie sur la base des valeurs amplifiées reçues de la sortie de la cellule mémoire à base de résistance magnétique et de la cellule de référence une fois que l'amplificateur de détection reçoit un signal d'activation (152) de l'amplificateur à commande numérique via le circuit logique.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP2374129JP2012511223CN102227776KR1020110102433IN977/MUMNP/2011