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1. (WO2010077418) TECHNIQUES FOR INDEPENDENTLY CONTROLLING DEFLECTION, DECELERATION, AND FOCUS OF AN ION BEAM
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Pub. No.: WO/2010/077418 International Application No.: PCT/US2009/062031
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 26.10.2009
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26
Bombardment with wave or particle radiation
263
with high-energy radiation
265
producing ion implantation
Applicants:
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
KELLERMAN, Peter, L. [US/US]; US (UsOnly)
RADOVANOV, Svetlana [US/US]; US (UsOnly)
SINCLAIR, Frank [US/US]; US (UsOnly)
BENVENISTE, Victor, M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
KELLERMAN, Peter, L.; US
RADOVANOV, Svetlana; US
SINCLAIR, Frank; US
BENVENISTE, Victor, M.; US
Agent:
FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Priority Data:
12/348,09102.01.2009US
Title (EN) TECHNIQUES FOR INDEPENDENTLY CONTROLLING DEFLECTION, DECELERATION, AND FOCUS OF AN ION BEAM
(FR) TECHNIQUES DE COMMANDE INDÉPENDANTE DE LA DÉVIATION, DE LA DÉCÉLÉRATION ET DE LA FOCALISATION D'UN FAISCEAU D'IONS
Abstract:
(EN) Techniques for independently controlling deflection, deceleration, and focus of an ion beam are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for independently controlling deflection, deceleration, and focus of an ion beam. The apparatus may comprise an electrode configuration comprising a set of upper electrodes disposed above an ion beam and a set of lower electrodes disposed below the ion beam. The set of upper electrodes and the set of lower electrodes may be positioned symmetrically about a central ray trajectory of the ion beam. A difference in potentials between the set of upper electrodes and the set of lower electrodes may also be varied a long the central ray trajectory to reflect an energy of the ion beam at each point along the central ray trajectory for independently controlling deflection, deceleration, and focus of an ion beam.
(FR) L'invention porte sur des techniques de commande indépendante de la déviation, de la décélération et de la focalisation d'un faisceau d'ions. Dans un exemple de mode de réalisation particulier, les techniques peuvent être réalisées sous la forme d'un appareil de commande indépendante de la déviation, de la décélération et de la focalisation d'un faisceau d'ions. L'appareil peut comprendre une configuration d'électrodes comprenant un ensemble d'électrodes supérieures disposées au-dessus d'un faisceau d'ion et un ensemble d'électrodes inférieures disposées en dessous du faisceau d'ions. L'ensemble d'électrodes supérieures et l'ensemble d'électrodes inférieures peuvent être positionnées de façon symétrique par rapport à une trajectoire de rayon central du faisceau d'ions. La différence entre des potentiels entre l'ensemble d'électrodes supérieures et l'ensemble d'électrodes inférieures peut également varier le long de la trajectoire de rayon central de façon à refléter l'énergie du faisceau d'ions en chaque point de la trajectoire du rayon central afin de commander indépendamment la déviation, la décélération et la focalisation d'un faisceau d'ions.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
JP2012514836CN102334180KR1020110128805