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1. (WO2010077287) COMPOSITE HIGH REFLECTIVITY LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2010/077287 International Application No.: PCT/US2009/006447
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 07.12.2009
Chapter 2 Demand Filed: 07.10.2010
IPC:
H01L 33/46 (2010.01) ,G02B 5/08 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44
characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46
Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5
Optical elements other than lenses
08
Mirrors
Applicants:
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703, US (AllExceptUS)
IBBESTON, James [GB/US]; US (UsOnly)
LI, Ting [US/US]; US (UsOnly)
HANSEN, Monica [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
IBBESTON, James; US
LI, Ting; US
HANSEN, Monica; US
Agent:
HEYBL, Jaye, G.; 2815 Townsgate Road, Suite 215 Westlake Village, CA 91361, US
Priority Data:
12/316,09708.12.2008US
Title (EN) COMPOSITE HIGH REFLECTIVITY LAYER
(FR) COUCHE COMPOSITE À RÉFLECTIVITÉ ÉLEVÉE
Abstract:
(EN) A high efficiency light emitting diode with a composite high reflectivity layer (62) integral to said LED to improve emission efficiency. One embodiment of a light emitting diode (LED) chip comprises ah LED and a composite high reflectivity layer (62), integral to the LED to reflect light emitted from the active region (54). The composite layer comprises a first layer (66), and alternating plurality of second (68) and third (70) layers on the first layer (66), and a reflective (71, 126) layer on the topmost of said plurality of second and third layers. The second and third layers have a different index of refraction, and the first layer is at least three times thicker than the thickest of the second and third layers. For composite layers internal to the LED chip, conductive vias (128) can be included through the composite layer to allow an electrical signal to pass through the composite layer to the LED.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente à haut rendement dotée d'une couche composite (62) à réflectivité élevée faisant partie intégrante de ladite LED pour améliorer le rendement d'émission. Un mode de réalisation d'une puce de diode électroluminescente (LED) comprend une diode électroluminescente et une couche composite (62) à réflectivité élevée, faisant partie intégrante de la diode électroluminescente pour réfléchir la lumière émise par la région active (54). La couche composite comprend une première couche (66), et une pluralité alternée de deuxième (68) et de troisième (70) couches sur la première couche (66), et une couche réfléchissante (71, 126) au sommet de ladite pluralité de deuxième et de troisième couches. Les deuxième et troisième couches ont un indice de réfraction différent, et la première couche est au moins trois fois plus épaisse que la couche la plus épaisse parmi la deuxième et de la troisième couche. Pour les couches composites à l'intérieur de la puce de diode électroluminescente, des trous d'interconnexion conducteurs (128) peuvent être inclus à travers la couche composite pour permettre le passage d'un signal électrique, à travers la couche composite, jusqu'à la diode électroluminescente.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP2374163JP2012511252KR1020110106347CN102742037