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1. (WO2010077251) AN INTEGRATED SRAM AND FLOTOX EEPROM MEMORY DEVICE
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Pub. No.: WO/2010/077251 International Application No.: PCT/US2009/000792
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 09.02.2009
IPC:
G11C 11/34 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
34
using semiconductor devices
Applicants:
APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1982A Zanker Road San Jose, CA 95112, US (AllExceptUS)
HSU, Fu-chang [US/US]; US (UsOnly)
LEE, Peter, Wung [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
HSU, Fu-chang; US
LEE, Peter, Wung; US
Agent:
ACKERMAN, Stephen, B.; 28 Davis Avenue Poughkeepsie, NY 12603, US
Priority Data:
12/319,24105.01.2009US
Title (EN) AN INTEGRATED SRAM AND FLOTOX EEPROM MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE FLOTOX À MÉMOIRE MORTE PROGRAMMABLE EFFAÇABLE ÉLECTRIQUEMENT ET À MÉMOIRE VIVE STATIQUE INTÉGRÉE
Abstract:
(EN) A nonvolatile SRAM circuit has an SRAM cell and one or two FLOTOX EEPROM cells connected to the data storage terminals of the SRAM cell. In programming to a first data level, the threshold voltage of a FLOTOX EEPROM transistor is brought to a programmed voltage level greater than a read voltage level and erasing to a second data level, the threshold voltage of the FLOTOX EEPROM transistor is brought to an erased voltage level less than the read voltage level. The nonvolatile SRAM array provides for restoring data to an SRAM cell from a FLOTOX EEPROM memory cell(s) at a power initiation and storing data to the FLOTOX EEPROM memory cell(s) to the SRAM cell at power termination. A power detection circuit for providing signals indicating power initiation and power termination to instigate restoration and storing of data between an SRAM cell and a FLOTOX EEPROM cell(s).
(FR) L'invention porte sur un circuit à mémoire vive statique non volatile (SRAM) qui comprend une cellule SRAM et une ou deux cellules FLOTOX à mémoire morte programmable effaçable électriquement (EEPROM), reliées aux terminaux de stockage de données de la cellule SRAM. Lors de la programmation sur un premier niveau de données, la tension de seuil d'un transistor FLOTOX EEPROM est amenée à un niveau de tension programmé supérieur à un niveau de tension lu et, lors de l'effacement sur un second niveau de données, la tension de seuil du transistor FLOTOX EEPROM est amenée à un niveau de tension effacé inférieur au niveau de tension lu. Le réseau SRAM non volatil assure une restauration de données à une cellule SRAM à partir d'une ou plusieurs cellules FLOTOX EEPROM à un démarrage et un stockage de données des cellules FLOTOX EEPROM à la cellule SRAM à un arrêt. L'invention concerne également un circuit de détection de puissance pour délivrer des signaux indicatifs du démarrage et de l'arrêt pour lancer la restauration de stockage de données entre une cellule SRAM et une ou plusieurs cellules FLOTOX EEPROM.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)