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1. (WO2010076834) RELIABLE SET OPERATION FOR PHASE-CHANGE MEMORY CELL
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Pub. No.: WO/2010/076834 International Application No.: PCT/IT2008/000823
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 31.12.2008
IPC:
G11C 16/02 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
Applicants:
BEDESCHI, Ferdinando [IT/IT]; IT
Inventors:
BEDESCHI, Ferdinando; IT
Agent:
DE GREGORI, Antonella; Barzano' & Zanardo Milano S.p.A. Via Borgonuovo 10 I-20121 Milano MI, IT
Priority Data:
Title (EN) RELIABLE SET OPERATION FOR PHASE-CHANGE MEMORY CELL
(FR) OPÉRATION D'INITIALISATION FIABLE POUR UNE CELLULE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE
Abstract:
(EN) A Phase-Change Memory (PCM) device and a method of writing data to the PCM device are described. The PCM device includes a multi-phase data storage cell having at least a Set state and a Reset state that may be established using a heater configured to heat the data storage cell. A memory interface may be coupled with the heater configured to write data to the data storage cell, the data being represented by the Set or the Reset states. Iterative write Reset pulses are used to place the data storage cell in the Reset state corresponding to a read value that is less than a read threshold. A write Set pulse that is a predetermined function of the final write Reset pulse that led to reset verification is used to place the data storage cell in the Set state. The PCM device may include additional intermediate states that enable each data storage cell to store two or more bits of information. Other embodiments may be described and claimed.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à mémoire à changement de phase (PCM) et sur un procédé d'écriture de données sur le dispositif à mémoire à changement de phase. Le dispositif à mémoire à changement de phase comprend une cellule de stockage de données multiphases ayant au moins un état initialisé et un état de réinitialisation qui peuvent être établis à l'aide d'un dispositif de chauffage configuré pour chauffer la cellule de stockage de données. Une interface de mémoire peut être couplée avec le dispositif de chauffage configuré pour écrire des données sur la cellule de stockage de données, les données étant représentées par les états initialisés ou réinitialisés. Des impulsions de réinitialisation d'écriture itératives sont utilisées pour placer la cellule de stockage de données dans l'état de réinitialisation correspondant à une valeur de lecture qui est inférieure à un seuil de lecture. Une impulsion d'initialisation d'écriture, qui est une fonction prédéterminée de l'impulsion de réinitialisation d'écriture finale qui mène à la vérification de réinitialisation, est utilisée pour placer la cellule de stockage de données dans l'état initialisé. Le dispositif à mémoire à changement de phase peut comprendre des états intermédiaires supplémentaires qui permettent à chaque cellule de stockage de données de stocker deux ou plusieurs bits d'informations. L'invention porte également sur d'autres modes de réalisation.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)