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1. (WO2010075797) METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2010/075797 International Application No.: PCT/CN2009/076317
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 31.12.2009
IPC:
C21D 8/12 (2006.01) ,C22C 38/02 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
21
METALLURGY OF IRON
D
MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE BY DECARBURISATION, TEMPERING, OR OTHER TREATMENTS
8
Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
12
during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
C CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
C
ALLOYS
38
Ferrous alloys, e.g. steel alloys
02
containing silicon
Applicants:
宝山钢铁股份有限公司 BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD. [CN/CN]; 中国上海市 牡丹江路1813号南楼 South Building, No.1813, Mudanjiang Road Shanghai 201900, CN (AllExceptUS)
李国保 LI, Guobao [CN/CN]; CN (UsOnly)
张丕军 ZHANG, Pijun [CN/CN]; CN (UsOnly)
杨勇杰 YANG, Yongjie [CN/CN]; CN (UsOnly)
沈侃毅 SHEN, Kanyi [CN/CN]; CN (UsOnly)
胡卓超 HU, Zhuochao [CN/CN]; CN (UsOnly)
吴培文 WU, Peiwen [CN/CN]; CN (UsOnly)
靳伟忠 JIN, Weizhong [CN/CN]; CN (UsOnly)
姜全力 JIANG, Quanli [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventors:
李国保 LI, Guobao; CN
张丕军 ZHANG, Pijun; CN
杨勇杰 YANG, Yongjie; CN
沈侃毅 SHEN, Kanyi; CN
胡卓超 HU, Zhuochao; CN
吴培文 WU, Peiwen; CN
靳伟忠 JIN, Weizhong; CN
姜全力 JIANG, Quanli; CN
Agent:
上海专利商标事务所有限公司 SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 中国上海市 桂平路435号 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Priority Data:
200810205181.631.12.2008CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DE L'ACIER AU SILICIUM À GRAIN ORIENTÉ AVEC UN UNIQUE LAMINAGE À FROID
(ZH) 用一次冷轧法生产取向硅钢的方法
Abstract:
(EN) A method for manufacturing a grain oriented silicon steel with single cold rolling comprises the steps: 1) smelting, refining and continuous casting to obtain a casting blank with the following composition in masst%: C 0.035-0.065%, Si 2.9-4.0%, Mn 0.08-0.18%, S 0.005-0.012%, Als 0.015-0.035%, N 0.0050-0.0130%, Sn 0.001-0.15%, P 0.010-0.030%, Cu 0.05-0.60%, Cr≤ 0.2%, and the balance of Fe and unavoidable impurities; 2) hot rolling; 3) annealing and normalizing; 4) cold-rolling once with reduction ratio of 75-92%; 5) decarburizing annealing; 6) high temperature annealing; 7) hot-leveling annealing. Favorable inclusion is formed by controlling annealing and normalizing of hot rolled sheet and by using nitrogen absorption of the blank in the periods of decarburizing annealing and low temperature phase of high temperature annealing. Therefore the method is suitable for obtaining stable secondary recrystallization structure.
(FR) L'invention porte sur un procédé pour fabriquer de l'acier au silicium à grain orienté avec un unique laminage à froid, lequel procédé comprend les étapes consistant à : 1) effectuer une fonte, un raffinage et une coulée en continu afin d'obtenir une ébauche de coulée avec la composition suivante en pourcentage massique : C 0,035 à 0,065 %, Si 2,9 à 4,0 %, Mn 0,08 à 0,18 %, S 0,005 à 0,012 %, Al 0,015 à 0,035 %, N 0,0050 à 0,0130 %, Sn 0,001 à 0,15 %, P 0,010 à 0,030 %, Cu 0,05 à 0,60 %, Cr ≤ 0,2 %, le reste étant Fe et des impuretés inévitables; 2) effectuer un laminage à chaud; 3) effectuer un recuit et une normalisation; 4) effectuer un laminage à froid une fois avec un taux de réduction de 75 à 92 %; 5) effectuer un recuit de décarburation; 6) effectuer un recuit à haute température; 7) effectuer un recuit de mise à niveau à chaud. Une inclusion favorable est formée par contrôle d'un recuit et d'une normalisation d'une feuille laminée à chaud et par utilisation d'une absorption d'azote de l'ébauche au cours des périodes de recuit de décarburation et de phase de basse température du recuit à haute température. Par conséquent, le procédé est approprié pour obtenir une structure de recristallisation secondaire stable.
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)
Also published as:
JP2011518947EP2390373US20120000262RU0002469104KR1020110093883