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1. (WO2010075653) METHOD OF INCREASING LUMINOUS EFFICIENCY BY ROUGHING SURFACE OF EPITAXIAL WAFER OF LIGHT-EMITTING DIODE
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Pub. No.: WO/2010/075653 International Application No.: PCT/CN2008/073914
Publication Date: 08.07.2010 International Filing Date: 31.12.2008
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Applicants:
深圳市方大国科光电技术有限公司 SHENZHEN FANGDA SEMICONDUCTOR CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城, Guangdong 518000 Fangda Town, Long Jing Xili, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN (AllExceptUS)
王质武 WANG, Zhiwu [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventors:
王质武 WANG, Zhiwu; CN
Agent:
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 SHENZHEN STANDARD PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国广东省深圳市福田深南大道1056号银座国际大厦810-815室, Guangdong 518040 Room 810-815 Yinzuo International Building No. 1056 Shennan Boulevard, Futian Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
Title (EN) METHOD OF INCREASING LUMINOUS EFFICIENCY BY ROUGHING SURFACE OF EPITAXIAL WAFER OF LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À AUGMENTER LE RENDEMENT LUMINEUX EN RUGOSIFIANT LA SURFACE D'UNE PLAQUETTE ÉPITAXIQUE D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 通过发光二极管外延片表面粗化提高出光效率的方法
Abstract:
(EN) The present invention discloses a method of increasing luminous efficiency by roughing surface of epitaxial wafer of a light-emitting diode, which comprises the following steps: (1) at the temperature of reaction chamber lower than 1000℃,H2,NH3,TMGa and Cp2Mg are fed to the reaction chamber; a layer of low-temperature P-type GaN grows sequentially on a layer of high-temperature P-type GaN of epitaxial wafer of the light-emitting diode; (2) after the layer of low-temperature P-type GaN has grown, cease feeding of TMGa and Cp2Mg; raise temperature of the reaction chamber, increase flux of H2; etch surface of the low-temperature P-type GaN layer to form a rough surface. The present invention provides a method of increasing luminous efficiency by roughing surface of epitaxial wafer of the light-emitting diode, which increases luminous efficiency greatly with simple and practical technology.
(FR) La présente invention concerne un procédé servant à augmenter le rendement lumineux en rugosifiant la surface d'une plaquette épitaxique d'une diode électroluminescente dont les étapes sont : (1) à une température de chambre de réaction inférieure à 1000 °C, H2, NH3, TWGa et Cp2Mg sont injectés dans la chambre de réaction ; une couche de GaN de type P à basse température croît séquentiellement sur une couche de GaN de type P à haute température d'une plaquette épitaxique de la diode électroluminescente ; (2) après la croissance de la couche de GaN de type P à basse température, l'injection de TMGa et de Cp2Mg cesse ; la température de la chambre de réaction augmente, le flux de H2 s'accroît ; la surface de la couche de GaN de type P à basse température est gravée pour former une surface rugueuse. La présente invention concerne un procédé servant à augmenter le rendement lumineux en rugosifiant la surface d'une plaquette épitaxique d'une diode électroluminescente, ce qui augmente considérablement le rendement lumineux par une technologie simple et pratique.
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)