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1. (WO2010074184) LEAD FRAME FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2010/074184 International Application No.: PCT/JP2009/071504
Publication Date: 01.07.2010 International Filing Date: 24.12.2009
IPC:
H01L 33/62 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
62
Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. leadframe, wire-bond or solder balls
Applicants:
古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322, JP (AllExceptUS)
小林 良聡 KOBAYASHI, Yoshiaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
小関 和宏 KOSEKI, Kazuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
菊池 伸 KIKUCHI, Shin [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
小林 良聡 KOBAYASHI, Yoshiaki; JP
小関 和宏 KOSEKI, Kazuhiro; JP
菊池 伸 KIKUCHI, Shin; JP
Agent:
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; 東京都港区新橋3丁目1番10号 石井ビル3階 ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
Priority Data:
2008-33273226.12.2008JP
Title (EN) LEAD FRAME FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) GRILLE DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUE
(JA) 光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置
Abstract:
(EN) Disclosed is a lead frame for an optical semiconductor device, wherein a layer (2) composed of silver or a silver alloy is formed on a conductive base (1).  The lead frame for an optical semiconductor device comprises, as the outermost layer, a surface layer (4) which is composed of a metal having excellent corrosion resistance or an alloy of the metal, and the concentration of the metal component having excellent corrosion resistance is not less than 50% by mass in the outermost portion of the surface layer.  A solid solution layer (3) of silver and the metal material that serves as the main component of the surface layer is formed between the surface layer and the layer which is composed of silver or a silver alloy.
(FR) L'invention porte sur une grille de connexion pour dispositif à semi-conducteurs optique dans laquelle une couche (2), composée d'argent ou d'un alliage d'argent, est formée sur une base conductrice (1). La grille de connexion pour dispositif à semi-conducteurs optique comprend, en tant que couche la plus à l'extérieur, une couche de surface (4) qui est composée d'un métal possédant une excellente résistance à la corrosion ou d'un alliage du métal, et la concentration du composant métallique présentant une excellente résistance à la corrosion n'est pas inférieure à 50 % en masse dans la partie la plus à l'extérieur de la couche de surface. Une couche de solution solide (3), d'argent et du matériau métallique qui sert de composant principal de la couche de surface, est formée entre la couche de surface et la couche qui est composée d'argent ou d'un alliage d'argent.
(JA)  導電性基体1上に銀または銀合金からなる層2が形成された光半導体装置用リードフレームであって、最外層として耐食性に優れた金属またはその合金からなる表層4を有し、その表層の耐食性に優れた金属成分の濃度は、前記表層の最表部において50質量%以上であって、該表層と前記銀または銀合金からなる層との間には、前記表層の主成分である金属材料と銀との固溶体層3が形成されている光半導体装置用リードフレーム。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
JP2011146741EP2372800JPWO2010074184CN102265417KR1020110098921TH114866