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1. (WO2010073226) PRODUCTION OF HIGH ALIGNMENT MARKS AND SUCH ALIGNMENT MARKS ON A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2010/073226 International Application No.: PCT/IB2009/055935
Publication Date: 01.07.2010 International Filing Date: 23.12.2009
IPC:
G03F 9/00 (2006.01) ,H01L 23/544 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
9
Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
544
Marks applied to semiconductor devices, e.g. registration marks, test patterns
Applicants:
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67 99097 Erfurt, DE (AllExceptUS)
REYMANN, Steffen [DE/DE]; DE (UsOnly)
FIEHNE, Gerhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
ECKOLDT, Uwe [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors:
REYMANN, Steffen; DE
FIEHNE, Gerhard; DE
ECKOLDT, Uwe; DE
Agent:
LEONHARD OLGEMOELLER FRICKE; Postfach 10 09 62 80083 Muenchen, DE
Priority Data:
10 2008 063 156.624.12.2008DE
Title (DE) HERSTELLUNG VON HOHEN JUSTIERMARKEN UND SOLCHE JUSTIERMARKEN AUF EINEM HALBLEITERWAFER
(EN) PRODUCTION OF HIGH ALIGNMENT MARKS AND SUCH ALIGNMENT MARKS ON A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PRODUCTION DE MARQUES D'AJUSTEMENT ÉLEVÉES, ET MARQUES D'AJUSTEMENT CORRESPONDANTES SUR UNE PLAQUETTE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
(DE) Die Erfindung betrifft eine Herstellung von Justiermarken auf einem Halbleiterwafer bei Verwendung einer licht-undurchlässigen Schicht (17), wobei vor dem Aufbringen der licht-undurchlässigen Schicht (17) durch Ätzen von Kavitäten frei stehende Säulengruppen in den Kavitäten hergestellt werden und danach die licht-undurchlässige Schicht (17) aufgetragen wird. Die Säulen werden mit einer Höhe oberhalb 1 μm hergestellt, die auβerdem gröβer ist als eine Dicke der aufzubringenden, licht-undurchlässigen Schicht (17) in den Kavitäten als Schichtanteile (17x;17y). Die Kavitäten werden mit einer solchen Breite ausgebildet, dass sie beim Aufbringen der licht-undurchlässigen Schicht (17) nur teilweise mit den Schichtanteilen (17x;17y) befϋllt werden. Die mit dem Verfahren hergestellten hohen, frei gestellten Justiermarken als Säulenreihen (16x,16y) mit mehreren Einzelsäulen (16a;16a') in einer Kavität (12x,12y) eines Ritzgrabens auf dem Halbleiterwafer werden ebenfalls beschrieben.
(EN) The invention relates to production of alignment marks on a semiconductor wafer with the use of a light-opaque layer (17), wherein, before the light-opaque layer (17) is applied, by means of the etching of cavities, free-standing pillar groups are produced in the cavities and then the light-opaque layer (17) is applied. The pillars are produced with a height of above 1 μm, which, moreover, is greater than a thickness of the light-opaque layer (17) to be applied in the cavities as layer portions (17x; 17y). The cavities are formed with a width such that they are filled only partly with the layer portions (17x; 17y) when the light-opaque layer (17) is applied. The high, freely positioned alignment marks produced by the method as pillar series (16x; 16y), having a plurality of individual pillars (16a; 16a') in a cavity (12a, 12y), of a scribing trench on the semiconductor wafer are likewise described.
(FR) L'invention concerne une production de marques d'ajustement sur une plaquette à semi-conducteur, lors de l'utilisation d'une couche opaque (17), production selon laquelle, avant application de ladite couche opaque (17), des groupes de colonnes exemptes de cavités sont produits par gravure dans les cavités, après quoi la couche opaque (17) est appliquée. Les colonnes sont produites à une hauteur supérieure à 1 µm qui, en outre, est plus grande qu'une épaisseur de la couche opaque (17) à appliquer dans les cavités, en tant que fractions de couche (17x;17y). Les cavités sont formées à une largeur telle qu'elles soient remplies, lors de l'application de la couche opaque (17), seulement partiellement par les fractions de couche (17x; 17y). L'invention concerne également des marques d'ajustement élevées, librement disposées, produites selon le procédé précité, en tant que rangées de colonnes (16x,16y) groupant plusieurs colonnes individuelles (16a;16a') dans une cavité (12x,12y) d'une ligne de séparation sur la plaquette à semi-conducteur.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
US20120032356