(EN) Methods and apparatus provide for forming a semiconductor-on-insulator (SOI) structure, including subjecting a implantation surface of a donor semiconductor wafer to an ion implantation step to create a weakened slice in cross-section defining an exfoliation layer of the donor semiconductor wafer; and subjecting the donor semiconductor wafer to a spatial variation step, either before, during or after the ion implantation step, such that at least one parameter of the weakened slice varies spatially across the weakened slice in at least one of X- and Y- axial directions.
(FR) Les procédés et appareils selon l’invention servent à former une structure de semi-conducteur sur isolant (SOI), consistant à soumettre une surface d’implantation d’une plaquette semi-conductrice donneuse vers une étape d’implantation d’ions pour créer une tranche affaiblie dans la section transversale définissant une couche d’exfoliation de la plaquette semi-conductrice donneuse; et à soumettre la plaquette semi-conductrice donneuse à une étape de variation spatiale, avant, pendant ou après l’étape d’implantation d’ions, de sorte qu’au moins un paramètre de la tranche affaiblie varie spatialement à travers la tranche affaiblie dans au moins l’une des directions axiales X ou Y.