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1. (WO2010033434) SIDEWALL FORMING PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/033434    International Application No.:    PCT/US2009/056716
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 11.09.2009
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US) (For All Designated States Except US).
CIRIGLIANO, Peter [US/US]; (US) (For US Only).
ZHU, Helen [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Ji Soo [KR/US]; (US) (For US Only).
SADJADI, S.M. Reza [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CIRIGLIANO, Peter; (US).
ZHU, Helen; (US).
KIM, Ji Soo; (US).
SADJADI, S.M. Reza; (US)
Agent: LEE, Michael B.K. Lee; (US)
Priority Data:
12/233,517 18.09.2008 US
Title (EN) SIDEWALL FORMING PROCESSES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE PAROI LATÉRALE
Abstract: front page image
(EN)An etch layer underlying a patterned photoresist mask is provided. A plurality of sidewall forming processes are performed. Each sidewall forming process comprises depositing a protective layer on the patterned photoresist mask by performing multiple cyclical depositions. Each cyclical deposition involves at least a depositing phase for depositing a deposition layer over surfaces of the patterned photoresist mask and a profile shaping phase for shaping vertical surfaces in the deposition layer. Each sidewall forming process further comprises a breakthrough etch for selectively etching horizontal surfaces of the protective layer with respect to vertical surfaces of the protective layer. Afterwards, the etch layer is etched to form a feature having a critical dimension that is less than the critical dimension of the features in the patterned photoresist mask.
(FR)Une couche de gravure située sous un masque photorésistant gravé est fournie. Une pluralité de procédé de formation de paroi latérale sont exécutés. Chaque procédé de formation de paroi latérale comprend l’étape consistant à déposer une couche protectrice sur le masque photorésistant gravé par exécution de multiples dépôts cycliques. Chaque dépôt cyclique implique au moins une phase de dépôt destinée à déposer une couche de dépôt au-dessus de surfaces du masque photorésistant gravé et une phase de façonnage de profil destinée à façonner des surfaces verticales dans la couche de dépôt. Chaque procédé de formation de paroi comprend en outre une gravure de percée destinée à graver de manière sélective des surfaces horizontales de la couche protectrice par rapport aux surfaces verticales de la couche protectrice. Après cela, la couche de gravure est gravée pour former un élément présentant une dimension critique inférieure à la dimension critique des éléments dans le masque photorésistant gravé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)