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1. (WO2010033378) METHOD AND APPARATUS FOR METAL SILICIDE FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/033378    International Application No.:    PCT/US2009/055672
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
OLSEN, Christopher S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: OLSEN, Christopher S.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US)
Priority Data:
12/233,858 19.09.2008 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR METAL SILICIDE FORMATION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FORMATION DE SILICIURE MÉTALLIQUE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments described herein include methods of forming metal silicide layers using a diffusionless annealing process. In one embodiment a method for forming a metal silicide material on a substrate is provided. The method comprises depositing a metal material over a silicon containing surface of a substrate, depositing a metal nitride material over the metal material, depositing a metallic contact material over the metal nitride material, and exposing the substrate to a diffusionless annealing process to form a metal silicide material. The short time-frame of the diffusionless annealing process reduces the time for the diffusion of nitrogen to the silicon containing interface to form silicon nitride thus minimizing the interfacial resistance.
(FR)Les modes de réalisation décrits ici comprennent des procédés de formation de couches de siliciure métallique par le biais d’une opération de recuit sans diffusion. Un mode de réalisation concerne un procédé de formation d'un matériau de siliciure métallique sur un substrat. Le procédé consiste à déposer un matériau métallique sur une surface d'un substrat qui contient du silicium, à déposer un matériau à base de nitrure métallique sur le matériau métallique, à déposer un matériau de contact métallique au-dessus du matériau de nitrure métallique et à exposer le substrat à une opération de recuit sans diffusion pour former un matériau de siliciure métallique. La courte durée de l'opération de recuit sans diffusion réduit la durée disponible pour la diffusion de l'azote vers l'interface contenant du silicium et empêche la formation de nitrure de silicium qui minimiserait la résistance interfaciale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)