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1. (WO2010033310) FRONT ELECTRODE FOR USE IN PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/033310    International Application No.:    PCT/US2009/052527
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 03.08.2009
IPC:
H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (For All Designated States Except US).
DEN BOER, Willem [US/US]; (US) (For US Only).
LU, Yiwei [US/US]; (US) (For US Only).
BROADWAY, David [US/US]; (US) (For US Only).
CORSNER, Bryce [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DEN BOER, Willem; (US).
LU, Yiwei; (US).
BROADWAY, David; (US).
CORSNER, Bryce; (US)
Agent: RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C. 901 North Glebe Road, 11th Floor Arlington, VA 22203-1808 (US)
Priority Data:
12/232,619 19.09.2008 US
Title (EN) FRONT ELECTRODE FOR USE IN PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) ELECTRODE AVANT DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Abstract: front page image
(EN)This invention relates to a front electrode/contact for use in an electronic device such as a photovoltaic device. The front electrode includes a multilayer coating including at least one transparent conductive oxide (TCO) layer (3), e.g. of or including a material such as tin oxide, ITO, zinc oxide, or the like and/or at least one conductive substantially metallic IR reflecting layer (e.g., based on silver, gold, or the like) in order to provide for reduced visible light reflection, increased conductivity, cheaper manufactur ability, and/or increased infrared (IR) reflection capability. In certailn embodiments, the front electrode comprises a dieelectric layer stack (2a', 2a, 2b) between a transparent conductive oxide (TCO) layer (3) and a glass substrate (1) comprising silicon oxynitride layer (2a'), silicon nitride layer (2a) and titanium oxide based layer (2b). Layers (2a', 2a) may form an oxidation graded silicon nitride based film which provides for good index matching while at the same time is a good blocker of sodium diffusion from the glass substrate (1) towards the TCO (3).
(FR)Cette invention se rapporte à une électrode avant/un contact avant destiné à être utilisé dans un dispositif électronique tel qu'un dispositif photovoltaïque. Dans certains modes de réalisation donnés à titre d'exemple, l'électrode avant d'un dispositif photovoltaïque, ou analogue, comprend un revêtement multicouche comprenant au moins une couche d'oxyde conducteur transparent (TCO) (par exemple, faite à partir d'un matériau ou comprenant un matériau tel que l’oxyde d'étain, l'ITO, l'oxyde de zinc, ou analogue) et/ou au moins une couche conductrice sensiblement métallique réfléchissant les infrarouges (IR) (par exemple, en argent, en or, ou analogue). Dans certains cas donnés à titre d'exemple, le revêtement multicouche de l'électrode avant peut comprendre une ou plusieurs couches conductrices d'oxyde(s) métallique(s) et/ou une ou plusieurs couches conductrices sensiblement métalliques réfléchissant les IR afin d'obtenir une réflexion réduite de la lumière visible, une meilleure conductivité, des coûts de fabrication moins élevés et/ou une meilleure capacité de réflexion des infrarouges (IR).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)