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1. (WO2010033268) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING FILMS FOR DEVICES SUCH AS SOLAR CELLS FROM SEMICONDUCTOR POWDERS OR DUST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/033268    International Application No.:    PCT/US2009/043447
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 11.05.2009
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SRI INTERNATIONAL [US/US]; 333 Ravenswood Avenue Menlo Park, California 94025 (US) (For All Designated States Except US).
SANJURJO, Angel [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SANJURJO, Angel; (US)
Agent: TONG, Kin-Wah; Wall & Tong, LLP 25 James Way Eatontown, New Jersey 07724 (US)
Priority Data:
61/098,513 19.09.2008 US
12/435,859 05.05.2009 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING FILMS FOR DEVICES SUCH AS SOLAR CELLS FROM SEMICONDUCTOR POWDERS OR DUST
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRODUCTION DE FILMS POUR DES DISPOSITIFS TELLES QUE DES CELLULES SOLAIRES À PARTIR DE POUDRES OU DE POUSSIÈRES SEMI-CONDUCTRICES
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates generally to production of photoelectric grade films or cells from semiconductor powders or dust. In one embodiment, the present invention provides a method for producing a photoelectric grade film from a semiconductor powder. The method includes providing a substrate, coating the substrate with a layer of the semiconductor powder and moving the substrate with the layer of the semiconductor powder under an energy source at a predefined rate, wherein the predefined rate is sufficient to melt the semiconductor powder by the energy source and to cool the substrate such that substantially all impurities are moved to an edge of the substrate.
(FR)D’une manière générale, la présente invention concerne la production de films ou de cellules de qualité photoélectrique à partir de poudres ou des poussières semi-conductrices. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de production de film de qualité photoélectrique à partir d’une poudre semi-conductrice. Le procédé comprend la mise à disposition d’un substrat, le revêtement du substrat avec une couche de la poudre semi-conductrice et le déplacement du substrat avec la couche de poudre semi-conductrice sous une source d’énergie à une vitesse prédéterminée, la vitesse prédéterminée étant suffisante pour la fusion de la poudre semi-conductrice par la source d’énergie et pour refroidir le substrat de sorte que pratiquement toutes les impuretés soient déplacées vers un bord du substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)