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1. (WO2010033144) METHOD AND APPARATUS FOR SURFACE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SEQUENTIAL CHEMICAL APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/033144    International Application No.:    PCT/US2009/004080
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 13.07.2009
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US) (For All Designated States Except US).
MIKHAYLICHENKO, Katrina [RU/US]; (US) (For US Only).
SABBA, Yizhak [IE/US]; (US) (For US Only).
PODLESNIK, Dragan [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MIKHAYLICHENKO, Katrina; (US).
SABBA, Yizhak; (US).
PODLESNIK, Dragan; (US)
Agent: MINISANDRAM, Jayanthi; (US)
Priority Data:
12/212,559 17.09.2008 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SURFACE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SEQUENTIAL CHEMICAL APPLICATIONS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS PAR APPLICATIONS CHIMIQUES SUCCESSIVES
Abstract: front page image
(EN)A system and method for removing polymer residue from around a metal gate structure formed on a surface of a substrate during a post-etch cleaning operation includes determining a plurality of process parameters associated with the metal gate structure and the polymer residue to be removed. A plurality of fabrication layers define the metal gate structure and the process parameters define characteristics of the fabrication layers and the polymer residue. A first cleaning chemistry and second cleaning chemistry are identified and a plurality of application parameters associated with the first and second cleaning chemistries are defined based on the process parameters. The first and second application chemistries are applied sequentially in a controlled manner using the application parameters to substantial remove the polymer residue while preserving the structural integrity of the gate structure.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé destinés à enlever les résidus de polymère d'autour une structure métallique de grille formée à la surface d'un substrat pendant une opération de nettoyage après gravure, qui comprennent la détermination de plusieurs paramètres de traitement associés à la structure métallique de grille et aux résidus de polymère à enlever. Plusieurs couches de fabrication définissent la structure métallique de grille et les paramètres de traitement définissent des caractéristiques des couches de fabrication et des résidus de polymère. On identifie un premier produit chimique de nettoyage et un deuxième produit chimique de nettoyage et plusieurs paramètres d'application associés au premier et au deuxième produit chimique de nettoyage sont définis en fonction des paramètres du procédé. Le premier et le deuxième produit chimique d'application sont appliqués successivement de manière contrôlée en utilisant les paramètres d'application de manière à enlever essentiellement les résidus de polymère tout en conservant l'intégrité structurelle de la structure de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)