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1. (WO2010032998) A METHOD TO RECOVER THE LSB PAGE IN A MULTILEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032998    International Application No.:    PCT/KR2009/005359
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 21.09.2009
IPC:
G11C 16/06 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 442-742 (KR) (For All Designated States Except US)
Inventors: PARK, Kyung-Min; (KR).
AHN, Seong-Jun; (KR)
Agent: Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; The Koryo Building, 1575-1 Seocho-dong, Seocho-gu Seoul 137-875 (KR)
Priority Data:
10-2008-0092920 22.09.2008 KR
Title (EN) A METHOD TO RECOVER THE LSB PAGE IN A MULTILEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION D'UNE PAGE LSB DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE FLASH À CELLULES MULTINIVEAU
(KO) 멀티-레벨 셀 플래시 메모리 장치에서의 LSB 페이지 복구 방법
Abstract: front page image
(EN)A method to recover the LSB page in a multilevel cell flash memory device is being disclosed. In the application examples, a method to recover the LSB page in a multilevel cell flash memory device wherein the LSB and MSB pages are programmed or read in paired page structure has following steps: step to define the first or nth (n is 2 or a natural number larger than 2) LSB page group that includes more than 2 LSB pages among the LSB pages of the multilevel cell flash memory; a step to program the first or xth (x is a 2 or natural number larger than 2 ) LSB page that belongs to the ith (i is n or a natural number smaller than n) LSB page group; a step to generate and store the ith LSB parity page for said first or xth LSB page; a step to program the first or xth MSB page corresponding to one LSB page from said first or xth LSB pages; a step to recover the jth (j is x or a natural number smaller than x) LSB page that pairs with the jth MSB page using the ith LSB parity page when power is shut off in the multilevel cell flash memory while programming the jth MSB page.
(FR)La présente invention concerne un procédé de récupération d'une page LSB dans un dispositif de mémoire flash à cellules multiniveau. Dans les exemples présentés, un procédé de récupération de la page LSB dans un dispositif de mémoire flash à cellules multiniveau dans lequel les pages LSB et MSB sont programmées ou lues suivant une structure de pages par paires, comprend les étapes suivantes: une étape consistant à définir le premier ou le nième (n représentant 2 ou un entier naturel supérieur à 2) groupe de pages LSB qui inclut plus de 2 pages LSB, parmi les pages LSB de la mémoire flash à cellules multiniveau; une étape consistant à programmer la première ou la xième (x représentant un entier naturel supérieur à 2) page LSB qui appartient au ième (i représentant un entier naturel inférieur à n) groupe de pages LSB; une étape consistant à générer et à stocker la ième page de parité LSB pour ladite première ou xième page LSB; une étape consistant à programmer la première ou la xième page MSB correspondant à une page LSB parmi les première ou xième pages LSB; une étape consistant à récupérer la jième (j représentant x ou un entier naturel inférieur à x) page LSB qui est jumelée à la jième page MSB au moyen de la ième page de parité LSB lorsque le courant est coupé dans la mémoire flash à cellules multiniveau au moment de la programmation de la jième page MSB.
(KO)멀티-레벨 셀 플래시 메모리 장치에서의 LSB 페이지 복구 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 LSB 페이지와 MSB 페이지가 페어드 페이지(paired page) 구조로 쌍을 이루어 프로그램 또는 독출되는 멀티-레벨 셀 플래시 메모리에서의 LSB 페이지 복구 방법에 있어서, 각각, 상기 멀티-레벨 셀 플래시 메모리의 LSB 페이지들 중 적어도 둘 이상의 LSB 페이지를 포함하는 제1 LSB 페이지 그룹 내지 제n(n은 2 이상의 자연수) LSB 페이지 그룹들을 설정하는 단계; 제i(i는 n 이하의 자연수) LSB 페이지 그룹에 속하는 제1 LSB 페이지 내지 제x(x는 2 이상의 자연수) LSB 페이지들을 프로그램 하는 단계; 상기 제1 LSB 페이지 내지 상기 제x LSB 페이지들에 대한 제i LSB 패리티(parity) 페이지를 생성하고 저장하는 단계; 각각, 상기 제1 LSB 페이지 내지 상기 제x LSB 페이지들 중 하나의 LSB 페이지에 대응되는 제1 MSB 페이지 내지 제x MSB 페이지를 프로그램 하는 단계; 및 제j(j는x 이하의 자연수) MSB 페이지를 프로그램 하는 중에 상기 멀티-레벨 셀 플래시 메모리로의 전원 공급이 차단되는 경우, 상기 제i LSB 패리티 페이지를 이용하여 상기 제j MSB 페이지와 쌍을 이루는 제j LSB 페이지를 복구하는 단계를 구비한다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)